042019-03 常见问题解答

肖特基二极管应用要点原理图

壹芯微作为国内专业生产肖特基二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或...

172026-04 常见问题解答

基于4N65场效应管的电路应用介绍

壹芯微4N65是一款在中高压、中小功率开关电源和电机驱动领域广泛应用的N沟道增强型高压功率MOSFET。它在650V的耐压等级下提供了4A的连续电流处理能力，并凭借其适中的导通电阻（典型值1.8-2.8Ω@10V）、快速...

172026-04 常见问题解答

开关电源原理解析

输出整流滤波电路1、正激式整流电路:T1为开关变压器，其初极和次极的相位同相。D1为整流二极管，D2为续流二极管，R1、C1、R2、C2为削尖峰电路。L1为续流电感，C4、L2、C5组成π型滤波器2、反激式整流电路:T1...

162026-04 常见问题解答

基于5N65场效应管的选型应用设计介绍

壹芯微生产的5N65是一款在中高压、中小功率开关电源领域广泛应用的N沟道增强型高压功率MOSFET。它在650V的耐压等级下提供了5A的连续电流处理能力，并凭借其较低的导通电阻（典型值0.93-2.5Ω@10V）、快速的...

162026-04 常见问题解答

基于8N65场效应管的电路应用设计介绍

8N65是一款在中高压、中等功率开关电源领域广泛应用的N沟道增强型高压功率MOSFET。它在650V的耐压等级下提供了8A的连续电流处理能力，并凭借其较低的导通电阻（典型值0.5-1.25Ω@10V）、快速的开关速度和良...

152026-04 常见问题解答

基于7N65场效应管的电路应用设计介绍

7N65是一款在中高压、中等功率开关电源领域广泛应用的N沟道增强型高压功率MOSFET。它在650V的耐压等级下提供了7A的连续电流处理能力，并凭借其较低的导通电阻（典型值1.1-1.5Ω@10V）、快速的开关速度和良好...

152026-04 常见问题解答

如何从系统电压和过压保护的需求中选择稳压管电压值

选对稳压管电压值（Vz）是过压保护（OVP）设计的核心，选低了系统无法工作，选高了起不到保护作用。结合其高动态阻抗和小最大电流的特性，这里有一套可直接落地的工程选型公式。核心选型原则：电压范围计算稳压管的标称电压 Vz ...

142026-04 常见问题解答

基于10N65场效应管的电路设计与应用详解

10N65是一款在中高压、中等功率开关电源领域广泛应用的N沟道增强型高压功率MOSFET。它在650V的耐压等级下提供了10A的连续电流处理能力，并凭借其较低的导通电阻（典型值0.8-1.0Ω@10V）、快速的开关速度和...

142026-04 常见问题解答

二极管的常见类型结构与关键参数介绍

一、二极管的基本结构二极管的核心是PN结，在PN结的两端加上两个电极，P区为阳极，N区为阴极。P到N正向导通，反之截止。按材料分:硅二极管和锗二极管硅二极管:材料:硅(Si)。特点:导通电压较高(约0.7V)。耐高温，适...

132026-04 常见问题解答

基于二极管应用的电路解析

1.二极管AM 包络检波器或解调器带电容的二极管是用于解调AM信号的最简单和最便宜的电路。音频信息信号存储在由二极管检测的AM调制信号的包络中，因为它只允许信号的正半周期。2.二极管逻辑电路3.二极管电压尖峰抑制电路瞬态...

132026-04 常见问题解答

6种常见二极管应用电路介绍

1.二极管稳压电路输入电压可以在OV到12V之间变化，但输出电压永远不会超过5.1V，因为齐纳二极管的反向击穿电压(齐纳电压)为5.1V，当输入电压低于5.1V时，输出电压将等于输入电压，但当超过5.1V时，输出电压将被...

072026-04 常见问题解答

二极管保护电路与整流电路介绍

一、二极管保护电路1.二极管反极性保护电路当Vcc和地以正确的极性连接时，二极管正向传导，负载接收功率。与整流二极管的0.7V相比，肖基特二极管上的正向压降在0.04V左右非常少，这样二极管上的功率损耗不会太大，而且肖特...

072026-04 常见问题解答

基于40N03场效应管的应用电路详解

40N03是一款在低压大电流功率电子领域广泛应用的N沟道增强型功率MOSFET。它在30V的耐压等级下提供了极低的导通电阻（典型值4-17mΩ@10V）和高达40-90A的连续电流处理能力，配合TO-251、TO-252...

242026-03 常见问题解答

如何用场效应管做放大器

由于场效应管具有高输入阻抗的特点，所以特别适用干作为多级放大电路的输入极，尤其对干高内阻的信号源，采用场效应管才能有效地放大。场效应管的源极、漏极、栅极分别对应三极管的发射极、集电极、基极，所以两者放大电路也相似。场效应...

242026-03 常见问题解答

基于30N03场效应管的电路应用介绍

30N03是一款在低压大电流功率电子领域广泛应用的N沟道增强型功率MOSFET。它在30V的耐压等级下提供了较低的导通电阻（典型值5-30mΩ@10V）和高达30A的连续电流处理能力，配合TO-252 (DPAK)、PD...

172026-03 常见问题解答

MOS管的损耗分类与损耗计算有哪些

MOSFET的损耗主要包含以下三类:1.导通损耗:当MOSFET完全导通时，电流流过低阻沟道(RDS(on))，因沟道电阻产生的功率损耗。2.开关损耗:在开关状态切换过程中(开启/关断)，MOSFET短暂进入线性工作区，...

172026-03 常见问题解答

基于20N03场效应管的电路应用详解

20N03是一款在低压大电流场景中广泛应用的N沟道功率MOSFET。它在30V的耐压等级下提供了较低的导通电阻（典型值6.5-25mΩ@10V）和高达20A的连续电流处理能力，配合TO-252 (DPAK)、PDFN3x...

162026-03 常见问题解答

基于50N03场效应管的参数应用解析

50N03是一款在电子设计中广泛应用的N沟道功率MOSFET。它在30V的耐压等级下提供了较低的导通电阻（典型值5-10mΩ@10V）和高达50A的连续电流处理能力，配合TO-252 (DPAK) 或TO-251等封装，...

162026-03 常见问题解答

常见的双电源切换电路方案介绍

最常见的方案一个二极管和一个PMOS搭配电阻实现的，VBUS和VBAT分别是USB输入电压和电池电压，该电路实现两电源切换供电，当USB插入时，VBAT断开供电，电池进行充电不再放电。上述电路常用在小电子设计中，优点是省...

132026-03 常见问题解答

MOS管的几种驱动电路特点介绍

一、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。1.查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。2.了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值...