072021-09 行业资讯

SUD50N06-09L替代原装DE018NG N沟道60V,50A贴片TO-252 MOS管

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062021-09 行业资讯

原装DH130NG替代12N10 贴片TO-252 N沟道 100V,12A MOS管厂家直营

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062021-09 行业资讯

UT30P03L-TN3-T(替代原装DC033PG)-30V,-26A TO-252 P沟道MOS管

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062021-09 行业资讯

原装DC020PG替代40P03 贴片TO-252 P沟道 -30V,-40A MOS场效应管

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062021-09 行业资讯

50N03替代原装DC010NG 贴片TO-252 N沟道 30V,50A MOS管厂家直营

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062021-09 行业资讯

原装DC010NG替代60N03 贴片TO-252 N沟道 30V,60A MOS管厂家直营

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312021-08 行业资讯

12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

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312021-08 行业资讯

FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

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312021-08 行业资讯

10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微

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262021-08 行业资讯

7N65场效应管 MOS 7N65场效应管参数规格书(PDF)

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262021-08 行业资讯

7N60场效应管 MOS 7N60场效应管参数中文资料(PDF)

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242021-08 行业资讯

4N60场效应管参数封装引脚图规格书中文资料PDF 现货厂家

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242021-08 行业资讯

2N60场效应管参数 封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家

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232021-08 行业资讯

SI2302场效应管参数 SI2302中文资料pdf封装引脚图报价规格书

型号：SI2302；极性：N沟道；ID/VDSS：2.5A/20V；封装：SOT-23 ，N沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

232021-08 行业资讯

SI2301(MOS)场效应管参数 封装引脚图报价中文资料pdf 生产厂家

型号：SI2301；极性：P沟道；ID/VDSS：-2.4A/-20V；封装：SOT-23，P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

232021-08 行业资讯

SI2300场效应管参数中文资料贴片封装引脚图报价规格书pdf 现货厂家

型号：SI2300；极性：N沟道；ID/VDSS：3.8A/20V；封装：SOT-23 SI2300采用先进的沟槽工艺技术，用于超低导通电阻的高密度电池设计，高功率和电流处理能力，锂离子电池组应用的理想选择包装尺寸。

232021-08 行业资讯

AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家

型号：AO3415；极性：P沟道；ID/VDSS：-4A/-20V；封装：SOT-23 AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。

232021-08 行业资讯

AO3402,SOT23场效应MOS管参数封装报价中文资料DF 现货厂家

型号：AO3402；极性：N沟道；ID/VDSS：4A/30V；封装：SOT-23AO3402使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。

212021-08 行业资讯

AO3401,SOT23,P沟道MOS场效应管 参数封装引脚图 规格书PDF

AO3401是P沟道MOS场效应管(MOSFET)，AO3401使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3401不含铅（符合 R...

212021-08 行业资讯

AO3400场效应管参数 封装引脚规格书PDF 全国供应商生产厂家

AO3400是N沟道NMOS场效应管，AO3401则是P沟道PMOS管，两者沟道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代号的意思，代表主要性能；在低压开关时建议使用AO3400，AO34...