12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

20N65场效应管参数(电流(ID):20A,电压(VDSS):650V),20N65(N沟道增强型场效应晶体管),20N65场效应管封装形式为TO220,20N65场效应管封装引脚规格书(PDF)

Absolute maximum ratings绝对最大额定参数

Symbol符号 | Parameter参数 | Value数值 | Unit单位

VGS Gate-source voltage | 栅源电压：±25 V

ID Drain current (continuous) | ID TC=25 °C 时的漏极电流（连续）：18A

ID Drain current (continuous)  | ID TC=100 °C时的漏极电流（连续）：11.3A

IDM (1) Drain current (pulsed) | (1) 漏极电流（脉冲）：72A

PTOT Total dissipation PTOT | 总耗散在 TC = 25 °C：130W

dv/dt (1)Peak diode recovery voltage slope | dv/dt (1)峰值二极管恢复电压斜率 15V/ns

Tstg(1) Storage temperature| 储存温度-55至150°C

Tj Max. operating junction temperature°

ISD≤18A, di/dt≤400 A/µs; VDS peak峰值<V(BR)DSS, VDD=400V

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