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场效应MOS管STP28NM60ND参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:11.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP28NM60ND是一种高性能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP28NM60ND经常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统中。它的高效能和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。

    2. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,STP28NM60ND被广泛应用于电机驱动、变频器等设备中。这是由于它的高耐压和高电流处理能力。

    3. 家用电器:如空调、洗衣机等家用电器中,STP28NM60ND用于逆变器电路,可以提高设备的整体效率和可靠性。

    4. 照明系统:在LED驱动电路中,STP28NM60ND由于其低功耗和高效能,常用于提高LED灯的亮度和寿命。

    5. 电动汽车:随着电动汽车市场的快速发展,STP28NM60ND也被应用于电动汽车的电池管理系统和电机控制系统中,以提供高效的电能转换和管理。

    二、参数特点:

    - 漏源击穿电压(Vds):STP28NM60ND的最大漏源击穿电压为600V,这使得它在高压应用中能够稳定运行,并提供高可靠性。

    - 导通电阻(Rds(on):STP28NM60ND的典型导通电阻仅为0.135Ω,低导通电阻可以减少功率损耗,提高系统效率。

    - 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,STP28NM60ND可以承受高达28A的连续漏极电流,这使其能够处理大电流应用。

    - 栅极电荷(Qg):STP28NM60ND的典型栅极电荷为105nC,较低的栅极电荷使其在开关操作中具有更快的速度和更高的效率。

    - 工作温度范围:STP28NM60ND可以在-55°C至150°C的宽温度范围内工作,确保其在各种环境条件下都能稳定运行。

    综上所述,STP28NM60ND以其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和宽温度工作范围等参数特点,成为电源管理系统、工业自动化设备、家用电器、照明系统以及电动汽车等多种应用场景中的理想选择。通过详细分析可以看出,STP28NM60ND不仅具有优异的性能参数,还在实际应用中展现出了广泛的适应性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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