SI2302场效应管参数 SI2302中文资料pdf封装引脚图报价规格书

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型号：SI2302；极性：N沟道；ID/VDSS：2.5A/20V；封装：SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

产品参数概要

· ID：2.5A

· VDSS：20V

· RDS(ON)=72m? @VGS=4.5V

· RDS(ON)=110m? @VGS=2.5V

SI2302用于极低Rds(ON)的高密度电池设计获得无铅产品，坚固可靠，SOT-23封装。

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：-20v

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±8v

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：-2.8A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 70℃）：-10A

· Power Dissipation（功率损耗Pd）：1.25W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微SI2302数据手册下还有热特性，静态特性与电电气参数等，建议自行阅读观看。

SI2302,SOT23数据手册(查看下载)

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