SUD50N06-09L替代原装DE018NG N沟道60V,50A贴片TO-252 MOS管

SUD50N06-09L(N沟道增强型场效应晶体管)；SUD50N06-09L场效应管参数；SUD50N06-09L场效应管封装引脚图；SUD50N06-09L场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：50A，电压(VDSS)：60V，封装形式：TO252

产品概要

VDS(V)：60V

0.0093 at VGS=10V ID：50A

0.0122 at VGS=4.5V ID：50A

绝对最大额定值（TC=25C，除非另有说明）

栅源电压VGS ±20V

连续漏极电流(TJ=175 °C)^b TC = 25 °C ID 50A

连续漏极电流(TJ=175 °C)^b TC = 100 °C ID 50^aA

脉冲漏极电流IDM 100A

连续源电流(二极管导通)IS 50^aA

雪崩电流IAS 50A

单雪崩能量(占空比£1%) L=0.1 mH EAS 125mJ

最大功耗TC=25°C P_D 136W

最大功耗TA=25°C P_D 3^b, 8.3^b_, ^cW

工作结点和存储温度范围TJ、Tstg - 55至175 °C

壹芯微（Yixin）专注二三极管MOS功率器件研发、生产、销售一体化服务，是国内知名功率半导体制造商。壹芯微产品高质量、高标准、高性价比、精益求精、品质如一，提供选型替代/免费送样/技术支持/售后服务。主要生产各式贴片/直插、肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复二极管、低压降二极管、场效应管(MOSFET)、可控硅(晶闸管)、三端稳压管(稳压电路)、桥堆等功率器件选型产品。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备等，芯片技术源自台湾，完美替代进口品牌，产品通过欧盟多个管理体系认证，应用领域广泛，优质研发技术团队为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或请致电135 3414 6615