〔壹芯〕生产7N60场效应管7A-600V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：7N60　　　　　　　极性：N

IDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：1.25　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5

封装：TO-252 TO-220

MOSFET原理（以N沟增强型为例）

由图5-18可以看出， MOSFET衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区，在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道，当在栅极加上正电压时，表面有耗尽层变为反型层，当V_GS=V_T（阙值电压）表面发生强反型，即形成N型沟道，则此时加在栅极上的电压即为MOS管的开启电压，在此时如果在漏源之间加正电压，电子能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。

MOSFET的源区和漏区在结构上是对称的，工作中的器件的源极和漏极由外加电压极性确定。但是一些分立器件和集成电路中的部分晶体管在图形设计时常常将源极和衬底连接在一起，这类器件的源极和漏极是固定的。

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