〔壹芯〕生产7N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:7N65 极性:N
IDA(A):7 VDSS(V):650
RDS(on) MAX(Ω):1.4 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):6.5 Vgs(V):40 Io(A):3.5
封装:TO-252 TO-220
功率MOSFET
功率场效应管(Power MOSFET)是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
功率场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOS和双扩散VDMOS。
功率场效应管采用多单元集成结构,一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图,如图5-19(a)所示。电气符号如图5-19(b)所示。
<壹芯微科技>专注二三极管领域研发制造,针对二三极管作出了良好的性能测试,产品广泛应用于电源、LED照明、光伏、仪表仪器、数码产品、各种小家电等领域。如果您遇到需要帮助解决的问题,可以点击页面右侧咨询工程师、或销售经理为您提供精准的产品报价与介绍。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号