〔壹芯〕生产5N60场效应管5A-600V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：5N60　　　　　　　极性：N

IDA(A)：5　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：2.4　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0

封装：TO-252 TO-220

绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与源极之间均采用SiO₂绝缘层隔离，又因栅极为金属，故又成为MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）。它的栅-源间电阻比JFET大得多，可达10¹⁰Ω，还因为它比JFET温度稳定性好，集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

与JFET相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但是与其不同的是，MOS管在每一类（N沟道和P沟道）中又分为增强型以及耗尽型两种。凡栅-源电压V_GS为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡栅源电压V_GS为零时，漏极电流不为零的管子都属于耗尽型管。

通常情况下，由于具有常关特点，电力电子技术中使用的是增强型 MOSFET器件，而且几乎都是N沟道 MOSFET。由于电子的迁移率远远高于空穴的迁移率，N沟道 MOSFET器件更具有优势。

1） MOSFET结构（以N沟增强型为例）

图5-18是典型平面N沟道增强型 MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅（SiO₂）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G（栅极）、S（源极）及D（漏极）

通过图5-18所示常见的N沟道增强型 MOSFET S（源极）G（栅极）D（漏极）的基本结构图，可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况二氧化硅下，衬底与源极在内部连接在一起，这样，相当于N绝缘层N D与S之间有一个PN结。

为改善某些参数的特性，如提高工作电流，提硅晶体高工作电压，降低导通电阻，提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓的VMOS、DMOS、图5-18N沟道增强型 MOSFET剖面图TMOS等结构。虽然有不同的结构，但其工作原理是相同的

<壹芯微科技>专注二三极管领域研发制造，针对二三极管作出了良好的性能测试，产品广泛应用于电源、LED照明、光伏、仪表仪器、数码产品、各种小家电等领域。如果您遇到需要帮助解决的问题，可以点击页面右侧咨询工程师、或销售经理为您提供精准的产品报价与介绍。