〔壹芯〕生产4N65场效应管4A-650V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:4N65 极性:N
IDA(A):4 VDSS(V):650
RDS(on) MAX(Ω):2.6 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):3.6 Vgs(V):40 Io(A):2.0
封装:TO-252 TO-220
结型场效应管
结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种类型如图5-17(a)所示为N沟道JFET的结构示意图,图中,在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极G,N型半导体的两端分别引出两个电极,一个称为漏极D,一个称为源极S。P区与N取交界面形成耗尽层,漏极与栅极间的非耗尽层区域称为导电沟道。
如图5-17(b)所示门极的箭头指向为P指向N方向,分别表示内向为N沟道JFET外向为P沟道JFET。图5-17(a)表示N沟道JFET的特性示例。以此图为基础了解JFET的电气特性。
首先,门极-源极间电压以0V时考虑(VGS=0V),在此状态下漏极源极间电压VDS从的电气特性0V开始增加,漏电流ID几乎与VDS成比例增加,将此区域称为非饱和区。VDS达到某值以上漏电流ID的变化变小,几乎达到一定值。此时的ID称为饱和漏电流(有时也称漏电流用IDSS表示)。与此IDSS对应的VDS称为夹断电压VP,此区域称为饱和区。其次,在漏极-源极间加一定的电压VDS(例如0.8V),VGS值从0开始向负方向增加,ID的值从lDSS开始慢慢地减少,当1D=0时的VGS称为门极-源极间夹断电压或截止电压,用VGS(off)表示。N沟道JFET的况则是其VGS(off)值带有负号。关于JFET为什么表示这样的特性,用图5-17(c)进行简单的说明。
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