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〔壹芯〕生产4N60场效应管4A-600V,参数达标,质量稳定

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-06-05 浏览:-

〔壹芯〕生产4N60场效应管4A-600V,参数达标,质量稳定


场效应管(MOSFETS)

型号:4N60       极性:N

IDA(A):4       VDSS(V):600

RDS(on) MAX(Ω):2.5 VGS(V):10 

VGS(th) (V):2~4

Gfs(min) (S):3.6 Vgs(V):40 Io(A):2.0

封装:TO-252 TO-220



简单概括场效应管工作原理,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,是由门极与沟道间的PN结形成的反偏的门极电压控制”。更准确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由PN结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,图5-17(a)


表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流流动。达到饱和区域如图5-17(a)所示,从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型,饱和,将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。


但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。如图5-17(b)所示,即便再增加V,因漂移电场的强度几乎不变,产生ID的饱和现象。其次,如图5-17(c)所示,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极很小的部分,这更使电流不能流通。


〔壹芯〕生产4N60场效应管4A-600V,参数达标,质量稳定



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