〔壹芯〕生产2N60场效应管2A-600V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:2N60 极性:N
IDA(A):2 VDSS(V):600
RDS(on) MAX(Ω):4.5 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):1.9 Vgs(V):40 Io(A):1.0
封装:TO-252 TO-220
场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称为单极型晶体管。场效应管不但具备双极型晶木管体积小、质量小、寿命长等特点,而且输入回路的内阻高达107~10°g2,噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强,而且比双极型晶体管省电,这些优点使其从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路中。
虽然场效应管优点很多、应用广泛,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用场效应管替代。场效应管分为结型和绝缘栅型两种不同的结构(见图5-16)。结型场效应管(JET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。
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