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SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-06-04 浏览:-

SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料

功率场效应晶体管,3A I(D),20V,0.072ohm,1 元件,N 沟道,硅,金属氧化物半导体 FET,无铅,塑料封装-3


详细参数
参数名称参数值
是否Rohs认证符合
生命周期Active
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.32
Samacsys DescriptionMOSFET 20V 3A
Samacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)
Micro Commercial Components (MCC)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.072 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON


SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料


常用场效应管型号


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