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2021-06-04 浏览：-SI2301功率场效应晶体管 参数规格 中文资料
功率场效应晶体管, 2.8A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.89 |
| Samacsys Description | MOSFET -20V -2.8A |
| Samacsys Manufacturer | Micro Commercial Components (MCC) |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.12 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
符号、占位面积、3D
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