MM1W75贴片稳压二极管参数，MM1W75规格书，MM1W75引脚图

壹芯微科技专业生产贴片齐纳稳压二极管MM1W75,SOD-123封装

MM1W75 SOD-123封装参数规格书，点击下载查看：MM1W3V3~MM1W330 SOD-123-1W.pdf

MM1W75 SOD-123封装引脚规格书参数如下：

MM1W75 SOD-123封装尺寸如下：

MM1W75 是 MM1W 系列中电压最高、阻抗最大、电流最小的成员之一。它本质上是一个 75V 击穿电压的 1W 齐纳二极管，采用 SOD-123FL 贴片封装。由于击穿电压极高，它主要扮演“高压防线”的角色，用于保护 60V 以上的电源系统。

核心参数

标称稳压值Vz：75V 基准点

稳压范围Vz：71.2V ~ 78.8V 通常为 ±5% 容差

最大耗散功率Pd：1W 环境温度 ≤75℃ 时

测试电流Izt：3.3 mA 用于标定 Vz 和 Zzt

动态阻抗Zzt：≤ 175 Ω 在 Izt 下测得，阻抗较大

最大稳压电流Izm：≈ 12 ~ 13 mA 计算值：1W / 75V，需留余量

反向漏电流Ir：≤ 1 µA 测试条件：Vr = 56V

封装/印字：SOD-123FL / "FLQ" 表面贴装

主要作用：高压系统的“安全阀”

MM1W75 的 75V 高门槛决定了它不适合低压逻辑电路，而是专为高压工业环境设计：

60V/72V 电源过压保护 (OVP)

这是其最核心的应用。在工业控制、通信基站中，常存在 60V 直流母线。当遭遇雷击浪涌或电压异常时，MM1W75 能将电压钳位在 75V 左右，防止后级昂贵的 DC-DC 转换器或控制器因过压（>80V）而烧毁。

开关电源高压尖峰吸收

在反激式开关电源中，用于吸收变压器漏感产生的高压尖峰（Spike），保护主开关管（MOSFET）的漏极。

高压基准参考点

在少数需要高电压参考的模拟比较电路中，提供约 75V 的基准点（但由于其阻抗大，精度较差）。

关键设计陷阱（MM1W 系列极限）

“电压越高，阻抗越大，电流越小”的规律在 MM1W75 上体现得最为极端，设计时极易踩坑：

电流窗口极窄：其最大电流 Izm 仅约 12mA，而测试电流 Izt 需要 3.3mA。这意味着有效工作电流区间只有约 3~12mA。如果限流电阻设计不当，电流低于 3mA，管子无法进入有效击穿区，阻抗极大，保护会失效。

必须计算功耗：在 75V 电压下，1W 的功率非常容易超限。必须串联限流电阻，且电阻的功率通常需要选 2W 甚至 3W 级别，否则电阻会先烧毁。

钳位电压虚高：由于 Zzt 高达 175Ω，当浪涌电流达到 10mA 时，实际钳位电压 = 75V + (10mA × 175Ω) = 76.75V。计算被保护芯片耐压时，必须按这个实际峰值电压来算。

选型与替代建议

适用场景：60V 系统（如电动车控制器、PLC 电源输入）。

不适用场景：48V 及以下系统（应选 MM1W56/62）；精密基准源（应选 TL431 或低压基准）。

替代方案：若浪涌能量较大，建议在 MM1W75 前端并联一个 SMAJ75A（600W 瞬态功率）的 TVS 管，组成两级保护。

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