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[常见问题解答]提升效率从选型开始:MOSFET在不同场景下的最佳搭配策略[ 2025-04-08 11:02 ]
在现代电子设计中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已成为不可或缺的核心元件。其广泛应用于电源转换、电机控制、功率管理、负载开关等多个领域。然而,如何针对具体的使用场景,选择合适的MOSFET型号,直接决定了电路的效率、稳定性与寿命。一、电源转换:高频、高压场景下的首选逻辑在开关电源或DC-DC变换器中,MOSFET承载着频繁开关的大电流,其导通损耗与开关速度对转换效率有着决定性影响。此类场景优先考虑具备以下特性的MOSFET:低R<sub>DS(on)</sub>、高速开关能力(
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[常见问题解答]TVS瞬态抑制二极管如何有效抑制电压瞬变[ 2025-02-08 10:33 ]
TVS瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种关键的半导体器件,主要用于防止电子设备因瞬态电压冲击而受损。瞬态电压可能来源于雷击、电感负载开关或静电放电等外部干扰。本文将详细解析TVS瞬态抑制二极管如何有效抑制电压瞬变,帮助读者更好地理解其工作原理及实际应用价值。一、TVS瞬态抑制二极管的工作原理TVS二极管的核心工作原理是基于PN结的雪崩击穿效应。当外部电压超过击穿电压时,PN结迅速进入雪崩击穿状态,形成低阻抗通道,将瞬时高电压迅速导向地面,保护敏感的电子元件免
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[技术文章]BCX53 典型应用电路[ 2024-05-10 12:01 ]
BCX53是一款PNP型功率晶体管,常见于各种电子设备中,具有广泛的应用场景和特点。一、应用场景:1. BCX53常被用于低至中等功率的放大和开关电路中。例如,它可以用作音频放大器的输出级,以及各种控制电路中的开关元件。2. BCX53还可用于电源管理电路中,特别是在直流-直流转换器和逆变器中,用于控制和调节电源输出。3. 在各种自动化和控制系统中,BCX53也扮演着重要角色,用于传感器信号的放大和控制信号的开关。4. 由于其PNP型结构,BCX53还适用于负载开关电路,特别是在需要正负电源的情况下,如电源管理模块
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[技术文章]BAT54A 典型应用电路[ 2024-04-29 14:25 ]
BAT54A是一款常用的肖特基二极管,广泛应用于现代电子设备中。它的主要应用场景和参数特点可以分开详细说明如下:一、应用场景:1. 电压整流:在小型电源适配器和电源模块中的整流环节,BAT54A因其低正向压降和快速开关特性,经常被用于帮助将交流电转换为直流电。2. 信号处理:在信号处理电路中,BAT54A可用于削波、限幅和阻塞逆向信号,保证电路的信号完整性。3. 负载开关:用于各种电子设备中作为开关二极管,BAT54A能有效控制负载的开启和关闭,特别是在微功耗设备中具有广泛应用。4. 保护电路:在防止电压反转的保护
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[技术文章]BSS84 典型应用电路[ 2024-04-26 15:27 ]
BSS84 是一种常见的P型场效应晶体管(MOSFET),它因其出色的性能和灵活的应用范围而广泛用于电子行业。以下是对 BSS84 的应用场景和参数特点的深入分析:一、应用场景1. 电源管理系统: BSS84 以其较低的开启阈值和优秀的开关性能,成为移动设备电源管理电路的首选。它能够精确控制电源的启动和关闭,极大地提升能源效率,延长设备的电池寿命。2. 负载开关应用:对于需要控制微小电流负载的场合, BSS84 显示出其独特的优势。这包括用于控制LED灯的亮度及其它小型家电的电源开关。3. 电平转换功能:由于 BS
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[技术文章]AO3401A 典型应用电路[ 2024-04-24 16:40 ]
AO3401A 是一种常用的P沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护和DC-DC转换器等领域。这种器件以其高效率和低功耗而闻名,非常适用于需要增强电源效率和延长电池寿命的便携式电子设备。AO3401A 的参数特点包括低门极电压(Vgs),通常为-20V,以及较高的漏源电压(Vds),最高可达-30V。此外,AO3401A 的漏电流极低,通常在微安级别,使得它非常适合用于低功耗应用。此外,这款MOSFET具有较低的导通阻抗,提高了设备的整体效率。在实际应用中,AO3401A 通常用于便携式设备的电池
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[技术文章]SI2302 典型应用电路[ 2024-04-22 16:27 ]
SI2302是一种常用的N通道MOSFET,广泛应用于多种电子电路中,例如电源管理、电池充电、DC-DC转换器和负载开关等。它因具备优良的导通和开关性能,以及高效的功率管理能力而受到青睐。SI2302的参数特点主要包括其较低的阈值电压和较高的漏电流容忍度。具体来说,它的阈值电压通常在1.5V到2.5V之间,这使得SI2302能够在较低的门控电压下就能有效开通,非常适合于低电压应用场景。此外,SI2302能够承受的漏电流较高,最大可达4.3A,这一特性使其在处理大电流应用时显示出较强的性能。在应用场景中,SI2302
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[常见问题解答]晶体管BJT高低边开关介绍[ 2023-07-01 17:02 ]
晶体管BJT高低边开关介绍晶体管BJT高低边开关引言:之前有介绍了MOS类型的高低边负载开关,MOS类型高低边开关固有其优势,比如压降小,损耗低,控制简易,使用场景也比BJT类型的高低边开关广泛,但是在需要控制负载电流的场景,BJT负载开关却更有优势,比如汽车车灯,工业照明,恒定电流源等场景。1.低边开关如图5-1为NPN型BJT低边开关,用来驱动LED负载,R2为限流分压电阻。图5-1:BJT低边开关2.高边开关如图5-2为NPN型BJT高边开关,用来驱动LED负载,R2为限流分压电阻。高边开关和底边开关的计算可
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[常见问题解答]用单PMOS怎么做分立式负载开关[ 2023-07-01 16:42 ]
用单PMOS怎么做分立式负载开关分立式PMOS负载开关本文分析PMOS用作高边负载开关天生的优势以及设计方法。1.负载开关的类型图3-1:NMOS和PMOS寄生模型在深入研究关键参数之前,我们先来看看不同类型的负载开关。高压侧负载开关将负载与电源连接或断开,由外部启用信号控制开关将高压侧电源电流切换到负载。而低压侧开关将负载与地连接或断开,从而从负载吸收电流。负载开关可以容易地用MOSFET实现,MOSFET将电流从电源传递到负载,并通过控制信号接通或断开。将控制信号提供给MOSFET的栅极驱动电路以接通或断开MO
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[常见问题解答]用单NMOS设计负载开关介绍[ 2023-07-01 16:26 ]
用单NMOS设计负载开关介绍分立式NMOS负载开关引言:需要通过负载开关将电路或子系统与电源断开有几个原因,一个非常简单和常见的原因是,它有助于节省电力。无电源的子系统可能不会因漏电或备用电流而消耗电力,但在便携式电子设备中负载开关还可用于防止电涌、电池插入错误和其他可能通过电源进入的损坏事件造成的损坏。1.负载开关的类型图2-1:NMOS和PMOS寄生模型在深入研究关键参数之前,我们先来看看不同类型的负载开关。高压侧负载开关将电源连接或断开与负载的连接,开关由外部启用信号控制,高压侧将电源电流切换到负载。低压侧开
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[常见问题解答]用双MOS怎么设计负载开关[ 2023-06-26 18:25 ]
用双MOS怎么设计分立式负载开关引言:基于单个MOSFET拓扑的负载开关只能阻断一个方向的电流,由于MOSFET有一个固有的体二极管,如果存在反向电流,它们的作用就像处于导通状态的二极管。在一些应用中,需要能够阻断两个方向的电流,例如电池驱动应用,其中应防止电池在充电器连接器侧短路等故障情况下放电,或在电气故障导致连接电缆和交流适配器泄露的情况下放电。1.具有反向电流保护的共漏极负载开关,共漏双NMOS更全面的负载开关功能包括反向电压保护、反向电流保护,这些可以用共漏极或共源极配置的MOSFET实现。阻断反向电流的
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[行业资讯]电路分析:NMOS开关电路介绍[ 2023-05-25 17:58 ]
电路分析:NMOS开关电路介绍概述上文和大家讨论了PMOS的负载开关电路,使用PMOS来控制后继电路的开关。然而在日常应用中PMOS可供选择的类型较少,价格也相对昂贵。因此选用NMOS作为开关电路选型范围较多,成本也更加划算,尤其针对一些低压1V、1.8V、3.3V大电流应用中更有优势。电路分析如下图搭建NMOS开关电路其中Q1、Q2为控制电路R3端口加入3.3V脉冲激励源作为使能EN信号,使能信号高有效,当脉冲为高电平时NPN三极管Q1导通,PNP三极管Q2导通,NMOSQ3的基极电压为R5和R6分压所得,R7为
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[常见问题解答]电路分析:PMOS开关电路介绍[ 2023-05-25 17:51 ]
电路分析:PMOS开关电路介绍概述负载开关电路日常应用比较广泛,主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。电路分析如下图所示R5模拟后级负载,Q1为开关,当R3端口的激励源为高电平时,Q2饱和导通,MOS管Q1的VGS提出问题当Q1导通上电瞬间电容两端电压不能突变会出现很高的冲击电流。此电流很可能会损坏MOS管或者触发前级电源的过流保护,所以此冲击电流并不是我们想要的。接下来给R3端口加单脉冲激励源,观察Q1(D)
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[常见问题解答]晶体管的负载开关介绍[ 2022-08-26 16:57 ]
关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时,向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流(Flash Current)。浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入电压VIN变大时,电流也相应变大。浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。而且,在超过最大额定电流时,有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加
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[行业资讯]TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装[ 2022-02-14 16:16 ]
TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关,具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET,可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入(ON)控制,可直接与低压控制信号连接。TPS22901采用0.4mm间距、节省空间的4引脚DSBGA(YFP)封装。该设备的特点是可在-40至85°C的自由空气温度范围内运行。产品概述制造商德州仪器制造商产品编号TPS22901YFPR供应商德州仪器描述IC PWR 开关 P-C
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[行业资讯]TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:23 ]
TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关,具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET,可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入(ON)控制,可直接与低压控制信号连接。TPS22901采用0.4mm间距、节省空间的4引脚DSBGA(YFP)封装。该设备的特点是可在-40至85°C的自由空气温度范围内运行。产品概述制造商德州仪器制造商产品编号TPS22901YFPR供应商德州仪器描述IC PWR
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[常见问题解答]低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域[ 2021-11-11 18:16 ]
低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域低内阻场效应管 4N10的特点:VDS=100VID=3.8ARDS(ON)<240mΩ@VGS=10V封装:SOT-23-3L低内阻场效应管 4N10的应用领域:负载开关电池保护不间断电源低内阻场效应管 4N10的极限值:(如无特殊说明,TC=25℃)漏极-源极电压 VDS:100V栅极-源极电压 VGS:±20V漏极电流-连续 ID:3.5A漏极电流-脉冲 IDM:8A总耗散功率 PD:3.76W存储温度 TSTG:-55~150℃工
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[行业资讯]3N80ZL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-24 15:37 ]
3N80ZL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微型号:3N80ZL-TN3-R 极性:N沟道;电压:700V 电流:2A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销3N80ZL-TN3-R参数中文资料,3N80ZL-TN3-R封装管脚引脚图,3N80ZL-TN3-R规格书:查看下载3N80ZL-TN3-R的概述:3N80Z 提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和以低栅极电压运行。 该设备适用于用作负载开关或在 PWM 应用中。3N80ZL-TN3-R的特性:* RDS(ON
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[常见问题解答]使用MOS场效应管实现低功耗双稳态电路 - 壹芯微[ 2021-09-18 12:27 ]
使用MOS场效应管实现低功耗双稳态电路 - 壹芯微双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。在这里我介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。如图假设Q1的G极输入是高电平,Q1导通,输出低电平,低电平接到Q2的G极,Q2截止,Q2输出高电平,所以Q3也截止,LED灯灭。此时由于Q1输出端D极为低电平,故电容C1通过R3放电。按下开关S1后,Q1输入端G极变成低电平,Q1截止,输出高电平,高电平接到Q2的G极,Q2导通,Q2输出低电平,所以Q3也导通,LED灯亮。壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器
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[行业资讯]AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家[ 2021-08-23 14:11 ]
型号:AO3415;极性:P沟道;ID/VDSS:-4A/-20V;封装:SOT-23 AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。
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