〔壹芯〕生产IRF3205场效应管110A-55V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：IRF3205　　　　　　　极性：N

IDA(A)：110　　　　　　　VDSS(V)：55

RDS(on)　MAX(Ω)：0.008　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：44　Vgs(V)：25　Io(A)：62

封装：TO-220

知识科普

电力场效应晶体管的基本特性

1.输出特性i_D=（u_DS）

在N沟道增强型VMOSFET中，当栅-源极电压u_GS为负值时，栅极下面的P型区呈现空穴的堆积状态，不可能出现反型层，无法沟通源区与漏区。即使栅-源极电压为正，但数值不够大时栅极下面的P型体区表面呈现耗尽状态，也不会出现反型层，同样无法沟通源区与漏区。

在这两种状态下VMOSFET都处于截止状态，即使加以漏极电压u_DS，也没有漏极电流i_D出现。

只有当栅-源极间电压u_GS达到或超过强反型条件时，栅极下的P型体区表面才会发生反型，形成N型表面层并把源区和漏区联系起来，使VMOSFET进入导通状态。栅-源极电压u_GS越大，反型层越厚（即沟道越宽），则漏极电流越大。

可见漏极电流i_D受栅-源极电压u_GS的控制，以栅-源极电压u_GS为参变量反映漏极电流i_D与漏-源极间电压u_DS间关系的曲线族称为VMOSFET的输出特性，如图1.6所示。输出特性分为三个区域，可调电阻区I、饱和区Ⅱ和雪崩区Ⅲ。

在可调电阻区I，器件的电阻值是变化的。因为一定的栅-源极电压对应一定的沟道，由于沟道已经形成，只要有很小的漏-源极电压u_DS，就可以流过一定的漏极电流i_D。由于漏-源极电压较小，它对沟道的影响可以忽略不计，这样沟道宽度和沟道电子的迁移率几乎不变，所以i_D与n_DS几乎呈线性关系。

图l.6 VMOSFET的输出特性iD=f（u_DS）

当u_DS较大后，情况有所不同：一方面随着u_DS的增加，靠近漏区一端的沟道要逐渐变窄；另一方面沟道电子将达到散射极限，速度不继续增加。于是，尽管u_DS继续增加，但i_D增加缓慢，使沟道的有效阻值逐渐增加，直至靠近漏区一端的沟道被夹断或沟道电子达到散射极限速度，才能使沟道电子的运动摆脱沟道电场的影响，开始进入饱和区Ⅱ。此后漏极电流i_D趋于稳定不变，即特性曲线趋于与横轴平行。

如以后继续增大漏-源极电压，当漏极PN结发生雪崩击穿时，漏极电流i_D突然剧增，曲线再次转折进入雪崩区皿，直至器件损坏，在应用中应避免这种情况出现。

<壹芯微科技>专注二三极管领域研发制造，针对二三极管作出了良好的性能测试，产品广泛应用于电源、LED照明、光伏、仪表仪器、数码产品、各种小家电等领域。如果您遇到需要帮助解决的问题，可以点击页面右侧咨询工程师、或销售经理为您提供精准的产品报价与介绍。