UTT25P10L-TN3-RTO-252MOS管-100V-25AP沟道
UTT25P10L-TN3-R(P沟道增强型场效应晶体管);UTT25P10L-TN3-R场效应管参数;UTT25P10L-TN3-R场效应管封装引脚图;UTT25P10L-TN3-R场效应管中文资料规格书(PDF);
电流(ID):-25A,电压(VDSS):-100V,封装形式:TO252
产品概要
*RDS(ON)<0.15Ω@VGS=-10V,ID=-25A
*高切换速度
绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)
Drain-SourceVoltage漏源电压(注2)VDSS:-100V
Drain-GateVoltage漏栅电压(RGS=20k?)VDGR:-100V
Gate-SourceVoltage栅源电压VGSS:±20V
DrainCurrentContinuous漏极电流连续ID:-25A
DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2)IDM:-60A
SinglePulsedAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量(注3)EAS:70mJ
PowerDissipation功耗TO-220/TO-263PD:100W
PowerDissipation功耗TO-220FPD:2W
PowerDissipation功耗TO-252PD:50W
JunctionTemperature结温TJ:-55~+150°C
StorageTemperature储存温度TSTG:-55~+150°C
注意:1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。
2.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制。
3.L=0.35mH,IAS=20A,VDD=50V,RG=25Ω,启动TJ=25°C
壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下
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