NVD5862NT4G 贴片TO-252 MOS管60V 98A N沟道

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电流(ID)：98A，电压(VDSS)：60V，封装形式：TO252

产品概要

• 低RDS(on)以最大限度地减少传导损耗

• 高电流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101 认证和PPAP能力

• 这些器件无铅、无卤素/无BFR且符合RoHS标准

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压VDSS：60V

栅源电压VGS：20V

连续漏极电流R_θJC(注 1)稳态TC=25°C ID：98A

连续漏极电流R_θJC(注 1)稳态TC=100°C ID：69A

功耗R_θJC(注 1)稳态TC=25°C PD：115W

功耗R_θJC(注 1)稳态TC=100°C PD：58W

连续漏极电流R_θJA(注 1和2)稳态TA=25°C ID：18A

连续漏极电流R_θJA(注 1和2)稳态TA=100°C ID：13A

功耗R_θJA(注 1和2)稳态TA=25°C PD：4.1W

功耗R_θJA(注 1和2)稳态TA=100°C PD：2.0W

脉冲漏极电流TA=25°C, tp=10us IDM：367A

电流限制TA = 25°C IDmaxpkg：60A

封装(注3)

工作结点和存储温度TJ, Tstg：-55 to 175°C

源电流(体二极管)IS：96A

单脉冲漏源雪崩能量(TJ=25°C, VDD=50 V, VGS=10 V,IL(pk) = 37 A, L=0.3 mH, RG=25Ω) EAS：205mJ

用于焊接目的的引线温度(1/8″ from case for 10 s) TL：260°C

超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏设备。如果超过这些限制中的任何一个，设备功能不应假设，可能会发生损坏并影响可靠性。

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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