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ATP401 贴片TO-252 MOS管60V 100A N沟道 足参数

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-11 浏览:-

ATP401 贴片TO-252 MOS管60V 100A N沟道 足参数

ATP401 贴片TO-252 MOS管60V 100A N沟道 足参数

ATP401(P沟道增强型场效应晶体管);ATP401 场效应管参数;ATP401 场效应管封装引脚图;ATP401 场效应管中文资料规格书(PDF);  

电流(ID):100A,电压(VDSS):60V,封装形式:TO252  

ATP401

产品概要

导通电阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)

输入电容Ciss=17000pF(typ)

4.5V驱动

无卤合规

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

Drain-to-Source Voltage 漏源电压 VDSS:60V

Gate-to-Source Voltage 栅源电压 VGSS:±20V

Drain Current(DC) 漏极电流(DC) ID:100A

Drain Current(Pulse) 漏极电流(脉冲)IDP PW≤10μs, duty cycle≤1%:400A

Allowable Power Dissipation 允许功耗 PD Tc=25°C:90W

Channel Temperature 通道温度 Tch:150°C

Storage Temperature 储存温度 Tstg:-55 to +150°C

Avalanche Energy 雪崩能量(单脉冲)*1 EAS:549mJ

Avalanche Current 雪崩电流*2 IAV:70A

超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅是压力额定值。推荐操作以上的功能操作

条件不是隐含的。长期暴露于高于推荐工作条件的应力可能会影响器件的可靠性。

ATP401参数

ATP401电气

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