来源：壹芯微 发布日期
2021-07-09 浏览：-SI2301 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
SI2301（P沟道增强型场效应晶体管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 优质现货 质量放心 高性价比
| 参数\型号 | SI2301 | ||
| 极性 | P | ||
| ID(A) | -2.4 | ||
| VDSS(V) | -20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.1 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | -4.5 | ||
| VGS(th):(V) | -0.4~-1 | ||
| Gfs(min):(S) | 4 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | -5 | ||
| Gfs(min):Io(A) | -2.4 | ||
| 封装 | SOT-23 |
进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的定义式如下： gm=ID VGS(单位mS)VDS=const
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【本文标签】：SI2301 SI2301 SOT-23 SI2301 MOS管 SI2301场效应管
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