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[技术文章]SI2301 典型应用电路[ 2024-04-22 15:32 ]
SI2301是一种常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备中,其性能特点使其在行业中具有广泛的应用场景。本文将详细介绍SI2301的应用场景和参数特点。一、SI2301的应用场景1. 移动设备的电源管理:由于SI2301具有低门槛电压和高效率的特点,它常用于智能手机、平板电脑以及其他便携设备的电源管理系统中。它可以有效地控制电源转换,保证设备的电池寿命和稳定性。2. 可充电电池包:SI2301因其高电流承受能力和高速开关特性,适用于电动工具和电动车等可充电电池包的充放电控制。这种M
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[行业资讯]SI2301场效应管参数|SI2301(SOT23)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-19 14:57 ]
SI2301场效应管参数|SI2301(SOT23)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 SI2301 极性 PNP 漏源电压 -20V 漏极电流 -2.8A 封装 SOT-23
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[行业资讯]si2301,si2301场效应管参数,引脚图,si2301规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 10:46 ]
si2301,si2301场效应管参数,引脚图,si2301规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:si2301描述:MOSFET,P-CH,20V,2.8A,SOT-23详细描述:表面贴装型,P通道,20V,2.8A(Ta),1.25W(Ta),SOT-23制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:si2301规格书si2301引脚图si2301电路符号si2301产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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[行业资讯]SI2301(MOS)场效应管参数 封装引脚图报价中文资料pdf 生产厂家[ 2021-08-23 15:33 ]
型号:SI2301;极性:P沟道;ID/VDSS:-2.4A/-20V;封装:SOT-23,P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
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[行业资讯]「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:20 ]
「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微产品供应信息型号:SI2300,SI2301,SI2302(场效应MOSFET)品牌:壹芯微|类型:场效应管封装:SOT-23|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询主要参数参数\型号SI2300SI2301SI2302极性NPNID(A)3.8-2.42.5VDSS(V)20-2020RDS(ON):Max(Ω)0.040.10.06RDS(ON):VGS(Ω)4.5-4.54.5VGS(th):(V)0.6~1.5-0.4
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[行业资讯]SI2301 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-09 09:29 ]
SI2301 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微SI2301(P沟道增强型场效应晶体管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:SOT-23|批号:21+|备注:全新国产 优质现货 质量放心 高性价比SI2301场效应管主要参数参数\型号SI2301极性PID(A)-2.4VDSS(V)-20RDS(ON):Max(Ω)0.1RDS(ON):VGS(Ω)-4.5VGS(th):(V)-0.4~-1Gfs(min):(S)4Gfs(min):Vgs(V)-5Gfs(min):Io(A)-2.4封装
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[常见问题解答]SI2301功率场效应晶体管 参数规格 中文资料[ 2021-06-04 11:22 ]
SI2301功率场效应晶体管 参数规格 中文资料功率场效应晶体管, 2.8A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3详细参数参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Active针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.89Samacsys DescriptionMOSFET -20V -2
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[常见问题解答]MOS管SI2301参数-壹芯微二极管[ 2019-08-13 13:19 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管SI2301参数,请看下方MOS管SI2301参数PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-2.8AVV(BR)DSS漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Ω内阻:100MΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.8AVRDS(ON)栅极电压:-4.5VVGS
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