收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 行业资讯 » UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道

UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-11 浏览:-

UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道

UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道

UTT60N10G-TN3-R(N沟道增强型场效应晶体管);UTT60N10G-TN3-R场效应管参数;UTT60N10G-TN3-R场效应管封装引脚图;UTT60N10G-TN3-R场效应管中文资料规格书(PDF);  

电流(ID):60A,电压(VDSS):100V,封装形式:TO252 

UTT60N10G-TN3-R

产品概要

* RDS(ON)<24mΩ @ VGS=10V, ID=30A

* 高切换速度

* 高电流容量

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS 100V

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS ±20V

Drain Current  Continuous 漏极电流连续 ID 60A

Drain Current Pulsed 漏极电流脉冲 EAS 270mJ

Power Dissipation TO-220 功耗 TO-220 PD 100W

Power Dissipation TO-220F1 功耗 TO-220F1 PD 70W

Power Dissipation TO-252 PD 功耗 TO-252 PD 114W

Power Dissipation TO-3P 功耗 TO-3P PD 118W

Junction Temperature 储存温度 TSTG -55~150°C

Storage Temperature 储存温度 TSTG -55~150°C

注意:绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

UTT60N10G-TN3-R参数

UTT60N10G-TN3-R热特性

UTT60N10G-TN3-R电气

壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下

销售一线:黄先生  手机:13534146615(微信同号)  QQ:2551579535

联系地址:深圳市福田区宝华大厦A1428

壹芯微 (4).jpg

推荐阅读

【本文标签】:

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:https://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1TVS选型别踩坑!这3个常见误区让防护形同虚设

2提升开关电源电磁兼容性的关键策略解析

3从布局到选材:提升MOS管散热效率的五大关键策略

41500W电源设计该选双管正激还是半桥拓扑?深度对比分析

5揭示双管正激效率瓶颈:设计与损耗的平衡难题

6双桥正激拓扑全解析:运行机制、性能特点与实际应用

7三类常见保护二极管全解析:稳压管、TVS管与快恢复管的作用与区别

8为何N沟道MOSFET在功率开关与信号调理中更具优势?

9掌握ESD二极管核心参数,提升电路抗静电能力

10二极管在LED照明电路中的高效应用策略:提升能效,降低功耗的关键路径

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号