UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道
UTT60N10G-TN3-R(N沟道增强型场效应晶体管);UTT60N10G-TN3-R场效应管参数;UTT60N10G-TN3-R场效应管封装引脚图;UTT60N10G-TN3-R场效应管中文资料规格书(PDF);
电流(ID):60A,电压(VDSS):100V,封装形式:TO252
产品概要
* RDS(ON)<24mΩ @ VGS=10V, ID=30A
* 高切换速度
* 高电流容量
绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)
Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS 100V
Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS ±20V
Drain Current Continuous 漏极电流连续 ID 60A
Drain Current Pulsed 漏极电流脉冲 EAS 270mJ
Power Dissipation TO-220 功耗 TO-220 PD 100W
Power Dissipation TO-220F1 功耗 TO-220F1 PD 70W
Power Dissipation TO-252 PD 功耗 TO-252 PD 114W
Power Dissipation TO-3P 功耗 TO-3P PD 118W
Junction Temperature 储存温度 TSTG -55~150°C
Storage Temperature 储存温度 TSTG -55~150°C
注意:绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。
绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。
壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下
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