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2N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-07-10 浏览:-

2N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

2N60(N沟道场效应MOS管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询


2N60场效应管主要参数
参数\型号2N60

极性N

ID(A)2

VDSS(V)600

RDS(ON):Max(Ω)4.5

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)2~4

Gfs(min):(S)1.9

Gfs(min):Vgs(V)40

Gfs(min):Io(A)1.0

封装TO-252/TO-220


2N60 是一个高压功率 MOSFET 和旨在具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻并具有高崎岖的雪崩特性。这功率MOSFET通常用于高速开关在电源、PWM 电机控制中的应用,高效直流到直流转换器和桥式电路


2N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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