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[行业资讯]2N60场效应管参数|2N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-19 17:16 ]

2N60场效应管参数|2N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号 2N60 极性 NPN 漏源电压 600V 漏极电流 2.0A 封装 TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-251L,TO-251S,TO-251S2,TO-251S4,TO-252,TO-252D,TO-262,TO-126,TO-126S,DFN5060-8

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[行业资讯]2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 12:13 ]

2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：2N60描述：MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F详细描述：通孔,N通道,600V,1.6A（Tc）,28W（Tc）,TO-220F-3制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商：深圳市壹芯微科技有限公司规格书：2N60规格书2N60引脚图2N60电路符号2N60产品属性通道类型N最大连续漏极电流2 A最大漏源电压600 V封装类型TO-220F安装类型通孔引脚数目3最

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[行业资讯]FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载[ 2021-11-30 10:19 ]

FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载FIR2N60ALG参数及代换,FIR2N60ALG封装引脚图,FIR2N60ALG规格书(数据手册)(图(如上)：FIR2N60ALG,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应FIR2N60ALG系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。FIR2N60ALG场效应管主要参数如下：参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR2A栅极-源极电压(TJ=25°C

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[行业资讯]SPD02N60S5场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料[ 2021-11-29 14:59 ]

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[行业资讯]SVF2N60D场效应管参数中文资料 SVF2N60D规格书下载 MOS管厂家[ 2021-11-23 13:58 ]

SVF2N60D场效应管参数代换规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微SVF2N60D参数代换,SVF2N60D规格书(数据手册),SVF2N60D封装引脚图壹芯微专业供应SVF2N60D系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。SVF2N60D.pdf 数据手册(规格书)下载SVF2N60D场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR-A栅极-源极电压ID2.0A漏极电流-脉冲IDM8.0A单脉冲

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[行业资讯]JCS2N60场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料[ 2021-11-23 11:20 ]

JCS2N60场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料JCS2N60参数代换,JCS2N60规格书(数据手册),JCS2N60封装引脚图壹芯微专业供应JCS2N60系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。JCS2N60.pdf 数据手册(规格书)下载JCS2N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR2.0A栅极-源极电压ID2.0A漏极电流-脉冲IDM6.0A单脉冲雪崩能量EAS120mJ重复雪崩能量

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[行业资讯]SPD02N60C3场效应管参数,SPD02N60C3规格书,中文资料[ 2021-11-22 16:37 ]

SPD02N60C3场效应管参数,SPD02N60C3规格书,中文资料SPD02N60C3参数代换,SPD02N60C3规格书(数据手册),SPD02N60C3封装引脚图壹芯微专业供应SPD02N60C3系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。SPD02N60C3.pdf 数据手册(规格书)下载SPD02N60C3场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS650V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲IDM-A单

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[行业资讯]FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-19 14:20 ]

FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书FTD02N60参数及代换,FTD02N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商FTD02N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应FTD02N60系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。FTD02N60.pdf 数据手册(规格书)下载FTD02N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR-A栅极-源极电压ID1.9A漏极电流-脉冲IDM-A单脉冲

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[行业资讯]HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-19 14:06 ]

HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书HFD2N60参数及代换,HFD2N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商HFD2N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应HFD2N60系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。HFD2N60.pdf 数据手册(规格书)下载HFD2N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲IDM7.2A单脉冲雪崩能量

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[行业资讯]2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书[ 2021-10-11 11:56 ]

2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书2N60系列场效应管TO-252封装引脚图：2N60.pdf 规格书查看下载2N60场效应管特性参数如下：* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切换能力* 指定雪崩能量* 改进的dv/dt能力，高耐用性2N60场效应管绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）极性：NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±

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[行业资讯]4N60场效应管参数封装引脚图规格书中文资料PDF 现货厂家[ 2021-08-24 12:11 ]

4N60场效应管参数封装引脚图规格书中文资料PDF 现货厂家，4N60场效应管参数，4N60规格书PDF，4N60封装，2N60报价，MOS管厂家，免费样品，选型帮助，技术支持。型号：4N60；极性：N沟道；ID/VDSS：4A/600V；封装：TO-252/TO-220，600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

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[行业资讯]2N60场效应管参数封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家[ 2021-08-24 10:36 ]

2N60?场效应管参数封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家,2N60场效应管参数，2N60中文资料PDF，2N60引脚图，2N60规格书，MOS管厂家，免费样品，选型帮助，技术支持。型号：2N60；极性：N沟道；ID/VDSS：2A/600V；封装：TO-252/TO-220,600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

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[行业资讯]「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:30 ]

「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的区别-壹芯微型号：2N60(2A,600V) 4N60(4A,600V) 4N65(4A,650V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-252/TO-220等|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询MOS管和IGBT管都可以作为开关元件使用，它们在外形、特性参数上也比较相似，那它们到底有什么区别呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的简称，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，可以简化称为「场效应管」，MOS管主要分两种类型：结型场

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[行业资讯]2N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:13 ]

2N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微2N60（N沟道场效应MOS管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252/TO-220|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询2N60场效应管主要参数参数\型号2N60极性NID(A)2VDSS(V)600RDS(ON):Max(Ω)4.5RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)1.9Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)1.0封装TO-252/TO-2202N6

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产2N60场效应管2A-600V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-04 16:57 ]

〔壹芯〕生产2N60场效应管2A-600V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：2N60极性：N　ID(A)：2VDSS(V)：600RDS(on)Max(Ω)：4.5VGS(V)：10VGS(th)(V)：2~4Gfs(min)(S)：1.9Vgs(V)：40Io(A)：1.0封装：TO-252 TO-220场效应管(FT)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。场效应管不但具备双极型晶木管体积小、质量小、寿命长等特点，而且

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