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〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-06-09 浏览:-

〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定


场效应管(MOSFETS)

型号:IRF740       极性:N

IDA(A):10       VDSS(V):400

RDS(on) MAX(Ω):0.55 VGS(V):10 

VGS(th) (V):2~4

Gfs(min) (S):5.8 Vgs(V):20 Io(A):6

封装:TO-220


知识科普


电力场效应晶体管的基本特性之开关特性


电力MOSFET开关特性的测试电路如图1.12(a)所示,开关特性如图1.12(b)所示。其中up为矩形脉冲电压信号源,Rs为信号源内阻,RG为栅极电阻,RL为漏极负载电阻,RF用于检测漏极电流。


因为MOSFET存在输入电容Cin,所以当脉冲电压up的前沿到来时,Cin有充电过程,栅极电压uGS呈指数曲线上升,如图1.12(b)所示。当uGS上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流iD


从up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻,这段时间称为开通延迟时间td(on)。此后,iD随uGS的上升而上升。uGS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅-源极电压UGS(th)这段时间称为上升时间tr,这时相当于电力场效应晶体管的临界饱和,漏极电流in也达到稳态值。in的稳态值由漏-源极电源电压Ups和漏极负载电阻所决定,UGS(th)的大小和iD的稳定值有关。


当uGS的值达到UGS(th),在脉冲信号源up的作用下继续升高直至达到稳态,但iD已不再变化,相当于电力MOSFET处于深度饱和。


当脉冲电压up下降到0时,栅-源极输入电容Cin通过信号源内阻Rs和栅极电阻RG(>>Rs)开始放电,栅-源极电压uGs按指数曲线下降,当下降到UGS(th)时,漏极电流iD才开始减小,这段时间称为关断延迟时间td(off)。此后,Cin继续放电,uGS从UGS(th)继续下降,iD减小,到uGS<UT时沟道夹断,iD下降为0。


以上为电阻负载条件下,MOSFET开关特性的粗略分析。实际上,随负载为电阻和电感的不同,开关过程根本不相同。


〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定

〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定


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