〔壹芯〕生产20N03场效应管20A-30V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：20N03　　　　　　　极性：N

IDA(A)：20　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.02　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：25　Vgs(V)：10　Io(A)：10

封装：TO-252

电力场效应晶体管的基本结构和工作原理

为了说明MOSFET的结构特点与工作原理，首先要说明场效应器件的基本结构。由于输出电流是由栅极通过金属氧化膜半导体系统进行控制的，所以这种结构称为MOS结构。在MOSFET中只有一种载流子（N沟道时是电子，P沟道时是空穴）从源极S出发经漏极D流出。图1.2示出了MOSFET的模拟结构，在栅-源极电压Uis=0时，漏极与源极间的PN结状态与普通二极管一样，为反向偏置状态，此时即使在漏-源极之间施加电压，也不会造成P区内载流子的移动，即器件保持关断状态。我们把这种正常关断型的MOSFET成为增强型。

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