〔壹芯〕生产12N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:12N65 极性:N
IDA(A):12 VDSS(V):650
RDS(on) MAX(Ω):0.85 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):7.8 Vgs(V):40 Io(A):6.0
封装:TO-220
场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源获取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源获取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既利用数载流子,也利用少数载流子导电,被称为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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