〔壹芯〕生产100N03场效应管100A-30V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：100N03　　　　　　　极性：N

IDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30

封装：TO-220 TO-252

图(l.3)N沟道和P沟道MOSFET的图形符号

电力MOSFET研究的目的主要是解决MOS器件的大电流、高电压问题，以提高其功率处理能力。它既要保持MOS器件场控的优点，又要吸收GTR的长处，因此其关键是如何既保留沟道又能实现垂直导电。由垂直导电结构组成的场控晶体管称为VMOSFET（Vertical MOSFET），VMOSFET在传统的MOS器件基础上做了下述三项重大改进：

①垂直地安装漏极，实现了垂直传导电流，将在原MOS结构中与源极和栅极同时水平安装在硅片顶部的漏极改装在硅片的底面上，这样充分利用了硅片面积，基本上实现了垂直传导漏-源极电流，降低了串联电阻值，为获得大电流容量提供了前提条件。

②模仿GTR设置了高电阻率的N^-移区，不仅提高了器件的耐压容量，而且降低了结电容，并使沟道长度稳定。

③采用双重扩散技术替代光刻工艺控制沟道长度，可以实现精确的短沟道，降低沟道电阻值，提高了工作频率，并使输出特性具有良好的线性。

根据结构形式的不同，VMOSFET又分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型。

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