壹芯微 MOS(场效应管) STD80N10F7 N沟道 100V,80A 贴片TO-252多种封装

STD80N10F7场效应管参数及代换,STD80N10F7封装引脚图,STD80N10F7中文资料规格书下载

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STD80N10F7场效应管参数如下：

极性：NPN

Drain-Source Voltage漏源电压 V_DSS：100V

Gate Source Voltage栅源电压 V_GSS：±20V

Drain Current(Continuous)漏极电流连续(at T_C+25°C) I_D：70A/50A/40A

Drain Current(Continuous)漏极电流连续(at T_C+100°C) I_D：48A/54A/30A

Total Dissipation总功耗(at T_C+25°C) P_TOT：85W/110W/30W

Storage Temperature储存温度 T_STG：-55~175°C

Max.operating junction temperature最大工作结温 T_J：-55~175°C

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