收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » MOS管开关电路图详解(四)

MOS管开关电路图详解(四)

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-03-27 浏览:-

MOS管开关电路图详解(四)

正激式驱动电路

电路原理如图9(a)所示,N3为去磁绕组,S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小,且从速度方面考虑,一般R2较小,故在分析中忽略不计。

MOS管开关电路图详解(四)

其等效电路图如图9(b)所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1,它做为正激变换器的假负载,用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化电流越小,U1值越小,关断速度越慢。该电路具有以下优点:①电路结构简单可靠,实现了隔离驱动。②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。③占空比固定时,通过合理的参数设计,此驱动电路也具有较快的开关速度。

该电路存在的缺点:一是由于隔离变压器副边需要一个假负载防振荡,故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时,由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍


推荐阅读

【本文标签】:

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:https://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1TVS选型别踩坑!这3个常见误区让防护形同虚设

2提升开关电源电磁兼容性的关键策略解析

3从布局到选材:提升MOS管散热效率的五大关键策略

41500W电源设计该选双管正激还是半桥拓扑?深度对比分析

5揭示双管正激效率瓶颈:设计与损耗的平衡难题

6双桥正激拓扑全解析:运行机制、性能特点与实际应用

7三类常见保护二极管全解析:稳压管、TVS管与快恢复管的作用与区别

8为何N沟道MOSFET在功率开关与信号调理中更具优势?

9掌握ESD二极管核心参数,提升电路抗静电能力

10二极管在LED照明电路中的高效应用策略:提升能效,降低功耗的关键路径

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号