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MOS管的几种驱动电路特点介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2026-03-13 浏览:-

一、电源IC直接驱动
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电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。

1.查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。

2.了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢,就达不到想要的效果。

二、推挽驱动
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当电源IC驱动能力不足时,可用推挽驱动。

这种驱动电路好处是提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

三、加速关断驱动
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MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。

四、隔离驱动
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为了满足高端MOS管的驱动,经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是隔开直流,通过交流,同时也能防止磁芯饱和。

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