MOSFET-场效应晶体管适用于热插拔及电子熔丝应用的任何电流范围

MPS提供可扩展的均流电子熔丝解决方案，内置MOSFET（场效应晶体管），电流和温度检测，软启动斜坡控制和保护功能。

在典型的热插拔或电子保险丝（电子保险丝）应用中，在选择MOSFET（场效应晶体管）时必须非常小心，以确保在软启动（SS）转向期间不超过器件的安全工作区（SOA） - 上。即使多个MOSFET并联，软启动条件也会产生大量的热应力。

通常，在热插拔和电子熔丝应用中使用分立MOSFET时，假设只有一个MOSFET-场效应晶体管传导整个软启动电流。这是由于每个MOSFET的栅极阈值电压的变化。因此，即使可能存在多个并联的MOSFET，所有功率损耗都在一个器件中。这需要过大的MOSFET额定值和封装尺寸，从而推动PCB面积。对于典型的热插拔/电子熔断器应用，需要精密电流检测电阻和控制器来提供SS时序，温度保护和过流保护（OCP）。

的MPS MP5921提供了一个简单且可堆叠的积木一个创新的热插拔/ e熔丝应用。MP5921具有内置MOSFET（场效应晶体管），电流检测，温度检测，软启动斜坡控制和高级保护功能。采用先进的单片工艺，可实现热插拔和电子熔丝解决方案的用户友好型实现（图1）。

图1：热插拔/电子熔丝应用组件。

MP5921采用先进的单片工艺，在软启动过程中主动监控和驱动内部MOSFET，以确保MOSFET的SOA。利用这种单片工艺，MP5921可以精确测量流经内部MOSFET的电流。

由于能够监控通过内部MOSFET的电流，并联连接的多个MP5921器件可在软启动条件下主动平衡流经每个器件的电流。这可确保每个器件均等地承载软启动电流，并且没有一个器件承载完整的软启动负载电流。由于软启动电流在器件之间平行平衡，因此极大地降低了违反MOSFET的SOA的风险，并且热能更均匀地分布在PCB上。

图2显示了在带DC负载的软启动期间并联的三个MP5921器件的电流共享。并联的所有三个器件均匀地共享软启动负载电流。

图2：三个并联的MP5921器件。

如果将各个电流的走线设置在同一原点上，则可以看出它们完全重叠（图3）。

图3：具有相同原点的电流。

MP5921可以扩展，以支持热插拔和电子熔丝解决方案所需的任何电流范围。MP5921的额定电流为60 A，采用4 x 5 mm封装，提供极其密集的热插拔/电子熔断器解决方案。每个MP5921都具有内置保护功能，可监控损坏的MOSFET，内部MOSFET的过温情况，软启动看门狗定时器和过流保护。

MP5921还具有内置短路保护（SCP）功能，可在短时间检测的200 ns内禁用内部MOSFET。这种快速禁用功能可防止在发生输出短路的PCB上产生大量电流。

MP5921为空间关键型设计提供了强大且用户友好的解决方案，可扩展以满足所有类型的热插拔/电子熔断器应用的设计要求。

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