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简析为什么不用sic做igbt

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2020-08-21 浏览:-

简析为什么不用sic做igbt

首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。

Si材料的Mosfet存在一个问题,即耐受电压能力高了芯片就会相应地变厚,导通损耗也就很高,所以硅材料的Mosfet一般只能做低压器件。

为了提高硅基器件的耐压,所以才设计了IGBT这种器件。

SiC是一种宽禁带半导体材料,可以做到很高的耐压下芯片还很薄,而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压,已经能覆盖现在的IGBT耐压水平了,且Mosfet的芯片结构比IGBT简单,所以目前没有必要用SiC来做IGBT浪费成本。

除非以后需要10kV级别的器件才有可能考虑SiC的IGBT。

igbt

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