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IGBT单管与MOS管的区别-MOSFET是MOS吗

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2020-08-25 浏览:-

IGBT单管与MOS管的区别-MOSFET是MOS吗

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT;

多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾,关断速度会减低;

MOS管就是MOSFET的简称了;

IGBT和MOS管是全控器件,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;可控硅是半控器件,电流型驱动,即给栅极通一定的电流,可以是可控硅开通,但是一旦开通,就不受栅极控制,将栅极的电压电流信号去除,仍然保持开通,只用流过可控硅的电流减小,或可控硅AK两端加反压,才能关断;

IGBT和MOS管频率可以做到几十上百KHz,但可控硅一般在1KHz以内。

IGBT单管和MOS管的区别:

1、从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型。

2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题。

3、从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

MOS管就是MOSFET的简称

IGBT

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