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导通电阻Rds(ON)低至0.67欧姆的MOSFE介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2020-05-23 浏览:-

导通电阻Rds(ON)低至0.67欧姆的MOSFE介绍

导通电阻Rds(ON)是场效应管(MOSFET)的一项重要参数,是工作时MOSFET漏极D和源极S之间的电阻值,单位是欧姆。对于同类MOSFET器件,Rds(ON)数值越小,工作时的损耗(功率损耗)就越小,所以实际应用中要求Rds(ON)越小越好。

由于能源日趋紧张,越来越多的均需要超低Rds(ON),例如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等,以便降低I2R损耗并提高效率。然而,具备类似Rds(ON)的一些同类器件,由于在缩小晶圆单元间隔的同时,其SOA(评估MOSFET耐受性的性能)和最大ID额定电流将会被降额或折中。

导通电阻

导通电阻Rds(ON)原理

日前推出了型号为PSMNR58-30YLH的业界超低导通电阻MOSFET,其最大Rds(ON)仅仅0.67欧姆,最大额定漏极电流可达380A。该参数对电机控制应用尤为重要,因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌,MOSFET必须承受这些电涌,才能确保安全可靠运行。

导通电阻

虽然目前也有厂商宣称提供类似器件,但是他们的最大ID电流是计算出的,不是测试数据。Nexperia的半导体产品实测持续电流能力高达380安培,并且100%最终生产测试的持续电流值高达190安培。

一般来说,降低Rds(ON)要通过增大封装尺寸来实现。值得注意的是,PSMNR58-30YLH采用采用独特的铜夹结构,两种封装形式LFPAK56(Power-SO8)、LFPAK33(Power33)均能吸收热应力,提升质量和可靠性,而且4引脚LFPAK56封装的安装尺寸仅30平方毫米,管脚间距1.27毫米。

目标应用上,PSMNR58-30YLH MOSFET凭借低Rds(ON)、高额定ID,以及毫不折中的SOA等级、质量和可靠性,能充分满足汽车、充电桩、光伏发电、风力发电等苛刻环境需求,是无刷直流(BLDC)电机控制(全桥式三相拓扑),ORing服务器电源、热插拔操作和同步整流,蓄电池保护,以及手机快速充电和直流负荷开关应用设计的理想选择。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

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