DC004NG选型替代,120N03场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微
120N03(N沟道增强型场效应晶体管);120N03场效应管参数;120N03场效应管封装引脚图;120N03场效应管中文资料规格书(PDF);
电流(ID):120A,电压(VDSS):30V,封装形式:TO252
产品概要
* ID=120A
* VDS=30V
* RDS(ON)=3.8mΩ @VGS=10V
* 低栅极电荷(典型 54nC)
* 快速切换
* 100% 雪崩测试
* 高功率和电流处理能力
绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)
漏源电压 VDSS 30V
栅源电压 VGSS ±20V
漏极电流持续 ID 120A
漏极电流脉冲(注 2)IDM 480A
单脉冲雪崩能量(注 3) EAS 240mJ
峰值二极管恢复 dv/dt(注 4)dv/dt 6.0V/ns
功耗 (TC=25°C) PD 125W
结温 TJ +150 °C
储存温度 TSTG -55~+150 °C
注意:
1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。
绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。
2. 重复评级:脉冲宽度受最大结温限制
3. L = 0.61mH,IAS = 28A,VDD = 27V,RG = 25Ω,起始 TJ = 25°C
4. ISD ≤ 80A,di/dt ≤ 200A/µs,VDD ≤ BVDSS,起始 TJ = 25°C
5. 基于最大允许结温计算的连续电流。套餐限制
电流为 100A。
壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下
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