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150N03场效应管参数中文资料PDF(选型替代DC003NG) - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-08 浏览:-

150N03场效应管参数中文资料PDF(选型替代DC003NG) - 壹芯微

150N03场效应管参数中文资料PDF(选型替代DC003NG) - 壹芯微

150N03(N沟道增强型场效应晶体管);150N03场效应管参数;150N03场效应管封装引脚图;150N03场效应管中文资料规格书(PDF);

电流(ID):150A,电压(VDSS):30V,封装形式:TO252

150N03

产品概要

* 150A, 30V, RDS(ON)=4.1m? @ VGS=10V, ID=75A

   RDS(ON)=4.6m? @ VGS=4.5V, ID=75A

* 高切换速度

* 高功率和电流处理能力

* 符合RoHS

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

Drain-Source Voltage漏源电压VDSS:30V

Gate-Source Voltage栅源电压 VGSS:±20V

Drain Current Continuous漏极电流持续ID:150A

Drain Current Pulsed漏极电流脉冲IDM:266A

Single Pulsed Avalanche Energy单脉冲雪崩能量(注 2)EAS:300mJ

Power Dissipation功耗PD:160W

Power Dissipation Derate above 25°C以上功率耗散降额PD:1.07W/°

Junction Temperature结温TJ:+150 °C

Storage Temperature储存温度TSTG:-55~+150 °C

注意:绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

150N03参数

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