150N03场效应管参数中文资料PDF(选型替代DC003NG) - 壹芯微
150N03(N沟道增强型场效应晶体管);150N03场效应管参数;150N03场效应管封装引脚图;150N03场效应管中文资料规格书(PDF);
电流(ID):150A,电压(VDSS):30V,封装形式:TO252
产品概要
* 150A, 30V, RDS(ON)=4.1m? @ VGS=10V, ID=75A
RDS(ON)=4.6m? @ VGS=4.5V, ID=75A
* 高切换速度
* 高功率和电流处理能力
* 符合RoHS
绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)
Drain-Source Voltage漏源电压VDSS:30V
Gate-Source Voltage栅源电压 VGSS:±20V
Drain Current Continuous漏极电流持续ID:150A
Drain Current Pulsed漏极电流脉冲IDM:266A
Single Pulsed Avalanche Energy单脉冲雪崩能量(注 2)EAS:300mJ
Power Dissipation功耗PD:160W
Power Dissipation Derate above 25°C以上功率耗散降额PD:1.07W/°
Junction Temperature结温TJ:+150 °C
Storage Temperature储存温度TSTG:-55~+150 °C
注意:绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。
绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。
壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下
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