场效应管前置放大器电路解析

图1为100MHz，频带的RF放大器，RF放大器的要求是NF要良好增益要高，以往，这两项要求总是会有顾此失彼的情形，因此要在电路上下一番工夫，但是近来由于元件及装置等之性能改善很多，使用价廉的MOS FET就可以很简单的制作完成。调整的方法如下所示：首先，请依图2之方式配线，循迹产生器（Tracking Generator）之信号经过阻抗桥（Impedance

Bridge），大约有－30～－40dBM的信号就输入至前置放大器的输入端，若输入电平太大的话会使FET饱和，因此要特别注意。接着，调整天线输入端的微调电容器（Trimmer）及输入调谐微调电容器使SWR达1，意即将回流损失（Return Loss）调至最大，具体而言，若以频谱分析仪（Spectrum AnaIyzer）将频谱的电平调整至最小是最佳的方式。而输出侧微调电容器的调整方法与输入侧同样，输入适当的信号，调整使电路得到最大的增益。以上是以仪器调整的方法，但是在使用之际，还需要再接上实际使用的天线，再一次调整输入微调电容器使接收的情况达到最佳。

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