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场效应管极性判别解析

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-03-29 浏览:-

场效应管极性判别解析

场效应管(FET)

以其高输入电阻、低噪、热稳定、便于集成的优点在电子电路以及大电流、大电压电路中应用十分普遍;正确使用、判别场效应管的管脚、极性十分必要;

同三极管一样,要熟练判别场效应管的管脚、极性必须先了解一下其结构、原理;

场效应管的管脚有

栅极G、漏极D、源极S

三个电极(双栅极管具有四个电极);

场效应管按结构分

结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(MOS)

,绝缘栅场效应管又分

增强型和耗尽型

;结型场效应管的

“结”

指的是

pn结

,绝缘栅场效应管的

绝缘栅

指的是栅极与源极、漏极之间有一层sio2绝缘层,它们之间没有导通连接关系。

按导电沟道性质,结型场效应管和绝缘栅场效应管又分

电子型(n)沟道、空穴型(p)沟道,

这是场效应管导电的通道;

场效应管属于

单极性晶体管

,三极管属于

双极性晶体管

,也即前者仅仅由一种载流子导电,后者是由两种载流子导电;

场效应管属于

压控型晶体管

,通过栅极与源极之间的电压的变化,来改变沟道的导电能力;三极管属于

电流控制型晶体管

,通过电流的变化改变集电极电流大小。

结型场效应管结构

场效应管极性判别解析

结型场效应管结构、符号图

从结构上可以看出结型场效应管有以下特点:

1.漏极D和源极S之间的半导体类型是相同的,也即同是p型或n型半导体,它们之间的正反向电阻是相等的,并且阻值比较小;

2.栅极G连接半导体类型与漏极D、源极S连接的半导体类型总是不同的;

3.栅极G与漏极、源极之间有pn结,pn结的正向电阻小,反向电阻大;

结型场效应管工作原理:在栅极与源极上加上反向电压后,pn结厚度会发生变化,从而改变了导电沟道的导电能力;

绝缘栅场效应管结构:

场效应管极性判别解析

增强型绝缘栅场效应管

场效应管极性判别解析

耗尽型绝缘栅场效应管

场效应管极性判别解析

绝缘栅场效应管中的寄生二极管

增强型MOS管从结构上看

1.栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘,它们之间的电阻无限大;

2.没有外加电压时漏极与源极之间不导通;

增强型NMOS管是以P型硅片作为基片(又称衬底),漏极连接的为N半导体,衬底与源极连在一起,故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管,称为寄生二极管;因此漏极和源极之间的反向电阻很小。

增强型MOS管工作原理:在栅极与源极之间加上正向电压后,达到一定值后就会形成导电沟道,改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力;

耗尽型MOS管从结构上看

1.栅极与漏极、源极绝缘,它们之间的电阻无限大;

2.漏极与源极之间能够导通,沟道在制造时就已形成;

在栅极与源极之间加上反向向电压后,改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力;

检测方法

一、结型场效应管

结型场效应管的漏极和源极在制造工艺上是对称的,故两极可以互换,不影响正常工作;只需要判别栅极和沟道类型

将万用表拨至R×100Ω档,测量场效应管任意两个极之间的电阻,正反各一次,有以下几种情况

1.若两次测的的阻值相同或相近,则这两极是漏极D、源极S,剩下的就是栅极;然后红笔不动,黑笔接触栅极,若阻值较大则测得的为pn节反向电阻,黑笔接的是n,红笔接的是p,所以该管子为p沟道,反之就是n沟道;

2.若两次测得的是一大一小,表明其中一个就是栅极,另一个就是漏极或源极。以阻值小的那一次为准,红笔不动,黑笔接另一个极,如果阻值小,并且与黑笔换极前测得的阻值相等或相近,则红笔接的是栅极,且该管子为p沟道;如果测得的阻值与黑笔换极前测得的阻值有较大差距,则黑笔换极前接的是栅极,该管子为n沟道场效应管;

或者直接任意测量两极之间的正反向电阻,遇到第一种情况,即可判别栅极,这种比较简单。

有兴趣的朋友可以试测一下3DJ6结型场效应管,该管子为电子型导电沟道;

场效应管极性判别解析

3DJ6结型场效应管

二、绝缘栅场效应管

NMOS增强型管

1.电极检测

正常的增强型NMOS管的栅极与漏极、源极之间均无法导通,它们的正反向电阻均无穷大,在G极无电压时,DS之间无沟道形成,但由于漏极源极之间存在一个反向寄生二极管,故漏极源极之间的反向电阻较小;

选择R×1kΩ,测量各脚之间的正反向电阻;

当出现一次阻值较小时,红笔接的是漏极,黑笔接的是源极,余下的引脚就是栅极

NMOS耗尽型管

基本过程同上,源极、漏极能够导通,但由于反向寄生二极管的存在,两次的电阻是有差异的。

有兴趣的朋友可以测试一下2N60C绝缘栅场效应管,该管子为增强型,电子型沟道。

场效应管极性判别解析

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