CJD02N65场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微
CJD02N65场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):650V;电流(ID):2A;封装(Pageke):TO-252;
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漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGSS ±20 V
持续漏极电流 ID 2 A
脉冲漏极电流 IDM 8 A
单脉冲雪崩能量 (note1) EAS 128 mJ
功率耗散 PD 1.25 W
从结到环境的热阻 RθJA 100 ℃/W
工作和储存温度范围 TJ, TSTG -55 ~+150 ℃
用于焊接的最大铅温度,
距外壳1/8”5秒 TL 260 ℃
壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售,至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们,免费试样热线:13534146615(微信同号) QQ:2881579535 或请咨询官网在线客服。
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