2N65L-TN3-T TO252 N沟道 高压650V 2A - 场效应MOS管 - 壹芯微

2N65L-TN3-T场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：650V；电流(ID)：2A；封装(Pageke)：TO-252；

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漏源电压 V_DSS 650 V

栅源电压 V_GSS ±30 V

雪崩电流(注 2) I_AR 2.0 A

漏极电流连续 I_D 2.0 A

脉冲漏极电流(注 2)I_DM 8.0 A

雪崩能量单脉冲(注 3) E_AS 140 mJ

雪崩能量重复(注 2) E_AR 4.5 mJ

峰值二极管恢复 dv/dt (注 4) dv/dt 4.5 V/ns

功耗 TO-220 P_D 54 W

功耗 TO-220F/TO-220F1 P_D 23 W

功耗 TO-251/TO-251L/TO-252/TO-252D P_D 44 W

结温 T_J +150 °С

工作温度 T_OPR -55 ~ +150 °С

储存温度 T_STG -55 ~ +150 °С

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受 TJ 限制

3. L=64mH, I_AS=2.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω, 起始 T_J=25°C

4. I_SD≤2.4A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

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