6N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

6N65L-TN3-R场效应管（6A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO252

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6N65L-TN3-R的概述：

6N65L-TN3-R 是一款高压功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。

The 6N65L-TN3-R is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge,low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switching power supplies and adaptors. 

6N65L-TN3-R的特性：

RDS(ON)<1.7Ω @VGS=10V

快速切换能力 Fast switching capability

雪崩能量测试 Avalanche energy tested

改进的 dv/dt 能力，高耐用性 Improved dv/dt capability, high ruggedness 

6N65L-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受T_J限制

3. L=24mH，I_AS=6A，V_DD=90V，R_G=25 Ω，启动T_J=25°C

4. I_SD≤6.2A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

6N65L-TN3-R的引脚说明：

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。