5N65G-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

5N65G-TN3-R场效应管（5A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO252

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5N65G-TN3-R的概述：

5N65是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用， PWM电机控制，高效直流到直流转换器和桥接电路。

The 5N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics.This power MOSFET is usually used in high speed switching applications at power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits. 

5N65G-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<2.4Ω @VGS=10V

超低栅极电荷(典型值 15 nC)  Ultra Low Gate Charge (Typical 15 nC)

低反向传输电容(CRSS=典型 6.5 pF)  Low Reverse Transfer Capacitance (CRSS=Typical 6.5 pF)

快速切换能力  Fast Switching Capability

指定雪崩能量  Avalanche Energy Specified

改进的dv/dt能力，高耐用性  Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 

5N65G-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 

2.脉宽受TJ(MAX)限制 Pulse width limited by TJ(MAX) 

3.L=16.8mH，IAS=5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤5A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

5N65G-TN3-R的引脚说明：

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。