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「12N65」关于分立器件场效应MOS管驱动电路解析 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-03 浏览:-

「12N65」关于分立器件场效应MOS管驱动电路解析 - 壹芯微

12N65 TO-220 (12A,650V)N沟道 直插 MOS场效应管

12N65(数据手册PDF):点击下载

自主品牌 厂家直销 参数达标 性能稳定 完美替代 免费样品 欢迎咨询


主要参数
参数\型号12N65

极性N

ID(A)12

VDSS(V)650

RDS(ON):Max(Ω)0.85

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)2~4

Gfs(min):(S)7.8

Gfs(min):Vgs(V)40

Gfs(min):Io(A)6.0

封装TO-220

12N65(TO-220)封装与电路符号


你是否了解分立元件MOS管(场效应管)驱动电路?它有什么要点?

该电路是在48V直流电机驱动上使用非常普遍的分立元件MOS管驱动电路,适用频率可达30kHz左右,稳定可靠,在成本局限的产品上可代替IR21XX驱动IC。这个电路已经经历了多年的商业化检验,保证你按照电路里的参数制作就可正常工作。

12N65(TO-220)封装

12N65(TO-220)封装

制作时需要注意以下几点:

(1)若你的电机工作电压低于或等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。

(2)自举电容C5、C6要使用低漏电的。用钽电容,耐压看20v是否够用,C5、C6耐压最好在电源电压以上,用太高级的钽电容其实不太必要,一般非高频低阻的铝电解就足矣。

(3)D5、D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。公司有开关电源用的1N5819是否可以替换?1N5819反向耐压40V,要看你的电机电源多少V,这个管子耐压最好大于(电源V+12V)*1.5。要求不高的话用M7(1N4007),一般没问题的。

(4)主滤波电容C11、C12必须是高频低阻电容,否则纹波容易引起发烫。

(5)C9、C10耐压应是电源的至少一倍。

(6)注意布线!尤其是高频部分(参考IR的一系列布线文档)。具体是那些零一般我都用0805的,尤其和MOS管接近的走的都是大电流。15V稳压管只是起个保护作用,平常没电流,1/4W就行。

(7)由于使用了自举电路,启动时必须先开下桥再开上桥(PWM只能在下桥上加,上桥只加开关信号);而且PWM不能大于95%,否则重载启动、短路测试时烧你没商量(这点连IR21XX也是一样)。以上就是分立元件MOS管驱动电路解析,希望能给大家帮助。


12N65深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插/贴片,肖特基,TVS,超快恢,高效整流,低压降,稳压管,场效应管(MOSFET),可控硅,三端稳压管,整流桥堆等选型产品,引进大量先进的二三极管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备,还有详细的选型及介绍信息,如需报价或了解更多,欢迎咨询在线客服


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【本文标签】:12N65场效应管参数 MOS管

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