272021-12 常见问题解答

独石电容结构与作用知识介绍

独石电容结构与作用知识介绍独石电容器是多层陶瓷电容器的别称，简称MLCC。由于独石电容属于陶瓷电容，因此它具有陶瓷电容的基本特性：电容量大(电容值可以做到1uF)、体积小、电容量比较稳定，温漂系数小、寿命长、等效直流电阻...

272021-12 常见问题解答

使用电容器抑制电磁干扰需要注意的事项

使用电容器抑制电磁干扰需要注意的事项电容器是电路中最基本的元件之一，利用电容滤除电路上的高频骚扰和对电源解耦是所有电路设计人员都熟悉的。但是，随着电磁干扰问题的日益突出，特别是干扰频率的日益提高，由于不了解电容的基本特性...

272021-12 常见问题解答

X电容与Y电容的介绍

X电容与Y电容的介绍安规电容之所以称之为安规，它是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击，也不危及人身安全。安规电容包含X电容和Y电容两种，它普通电容不一样的是，普通电容即使在外部电源断开之后，它内部储存电荷依然...

252021-12 常见问题解答

基于恒电流二极管的LED驱动电路设计介绍

基于恒电流二极管的LED驱动电路设计介绍当前LED照明正逐渐兴起，其具有体积小、功耗低、寿命长、节能环保无污染等特征。LED是电流驱动器件，其亮度与正向电流成正比，为保证LED发光高效均匀、LED驱动源应为恒电流输出。而...

252021-12 常见问题解答

二极管整流电路工作原理图解析

二极管整流电路工作原理图解析二极管最流行的应用是整流。简单定义，整流是将交流电(AC)转换为直流电(DC)。这涉及一种仅允许电荷单向流动的装置，最简单的整流电路是半波整流器，它只允许交流波形的一半通过到负载。整流电路的作...

252021-12 行业资讯

IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类：用于合规性定义 应用：开关电源(SMPS)，不间断电源供应，高速...

252021-12 行业资讯

SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用...

252021-12 行业资讯

FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-...

242021-12 常见问题解答

GaAs二极管在高性能电源转换中的作用介绍

GaAs二极管在高性能电源转换中的作用介绍 GaAs二极管是一种新型宽带隙功率半导体，它为设计人员提供了一种在高性能功率转换中权衡效率和成本的方法。高压硅二极管具有较低的正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在电源转换...

242021-12 常见问题解答

开关二极管的工作原理及电路图介绍

开关二极管的工作原理及电路图介绍 在查看电子元器件时，很容易忽略不起眼的二极管，它们没有隧道、Gunn、变容二极管、齐纳二极管和雪崩二极管，甚至LED中的任何特殊部件，相反，它们只是电流的单向阀。以一种方式将它们连接起...

242021-12 行业资讯

HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

· 原创新设计 · 卓越的雪崩坚固技术 · 强大的栅极氧化技术 · 极低的固有电容 · 优良的开关特性 · 无与伦比的栅极电荷：13 nC（典型值） · 扩展安全操作区 · 降低 RDS(ON) ? 7\S...

242021-12 行业资讯

AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备，可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用，适用于低电压应用如DC/DC...

242021-12 行业资讯

IRFR320参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安装应用。...

222021-12 行业资讯

HMC358MS8GETR中文参数 规格书PDF 电路图

HMC358MS8GETR中文参数 规格书PDF 电路图描述HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器...

222021-12 行业资讯

AD8542ARZ中文参数 引脚图 PDF规格书

AD8542ARZ中文参数 引脚图 PDF规格书描述AD8542ARZ是一款CMOS双轨到轨输入/输出放大器，具有单电源、极低的电源电流和1MHz带宽。该通用放大器保证可以在2.7V单电源和5V电源下工作。这些部件以每个...

222021-12 行业资讯

HMC8038LP4CE规格参数 数据手册PDF〔壹芯微〕

HMC8038LP4CE规格参数 数据手册PDF〔壹芯微〕描述HMC8038LP4CE是一种高隔离、无反射、0.1GHz至6.0GHz硅单刀双掷(SPDT)开关，采用无铅表面安装封装。该交换机是蜂窝基础设施应用的理想选择...

222021-12 常见问题解答

CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍

CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍目前，随着一些便携式电子系统，如笔记本电脑、PDA、手机等的广泛应用，集成电路的功耗也被提到与面积和速度同等重要的位置。如果仍使用传统的技术，就可能负担相当重量的电池，或者电池的使用时...

222021-12 常见问题解答

基于LM567与CMOS器件组成的校时电路介绍

基于LM567与CMOS器件组成的校时电路介绍石英数字钟由于石英晶体的老化、温度的变化以及其它因素的影响，若长时间不去校正走时，累加起来的计时误差是可观的。对用户来讲，希望电子钟通电后，经过一次性调时，能准确地完成时间显...

212021-12 常见问题解答

CMOS集成电路的接口电路设计详细介绍

CMOS集成电路的接口电路设计详细介绍CMOS集成电路是互补型金属氧化物半导体电路(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，它由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流...

212021-12 常见问题解答

基于轨对轨CMOS运算放大器的设计介绍

基于轨对轨CMOS运算放大器的设计介绍随着SOC(SystemonChip)的迅速发展，使用深亚微米标准CMOS工艺的模拟集成电路的设计，已成为当前芯片设计的一种趋势。CMOS运算放大器是模拟电路中重要基本单元，该单元不...