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变压器如何改变电压变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置无论哪种变压器,它们的基本工作原理是相似的。一、变压器的工作原理下图是变压器的结构示意图,图中,左侧是一次绕组,右侧是二次绕组,一次和二次绕组均绕在铁芯上。...
MOS管的二级效应解析体效应在之前的分析中,我们都认为MOS管的衬底和源极相连, 即VBS=0。 但在很多情况下,源极和衬底的电位并不相同。对 NMOS 管而言,衬底通常接电路的最低电位(GND),有VBS < 0...
两块不同输出的开关电源共地使用介绍一块输出为24v的开关电源和一块输出5v的开关电源,能不能把它们两个v-端子短在一起使用?可以。例如我们有一块5V的单片机电路板,还有此单片机的前向通道和后向通道,前向通道中安装了运放,...
开关电源和普通电源的区别介绍什么叫开关电源?随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源...
二极管和三极管的开关特性分析用二极管和三极管构成的一个简单电路,来模拟开和关这样的一个特性。首先来介绍二极管的开关特性:①二极管静态开关特性:二极管的开关特性其实很简单,它正向导通,反向关断,二极管的导通压降硅管是0.7...
RC低通滤波器理解低通滤波器其实很简单,在一个频率下把电容看作是一个电阻,那把R和C就看作是串联,那么VOUT就是分压点。我们想要滤掉某个频率,就让电容在这个频率容抗很小,分压就会很小。如果比这个频率高,那么根据容抗公式...
三极管放大电路原理详解三极管放大电路原理搭建一个三极管放大电路,实现一个微小正弦波的放大电路,如下图。当基极产生一个电流波形,基极电流Ib,当Ib被放大β倍,形成Ic,Rc的电压为Uc=Rc*Ic,Uo电压为Ec-Uc的...
三极管静态估算方法及举例介绍三极管静态估算思路及例子电路静态估算举例静态三极管判断分为3步:1.基极电流 Ec=IBQ*RB+UBEQ ,带入参数12=IBQ*200+0.7 ,解得IBQ=56.5UA2.判断集电极电流...
数字电路详解介绍一、数字电路概述用数字信号完成对数字量进行逻辑运算和算术运算的电路称为数字电路。 由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能,所以又称为数字逻辑电路。 现代的数字电路由半导体工艺制成的数字集成器件构造而成。 逻辑门...
逻辑门电路的知识介绍一、基本逻辑门电路1、关于逻辑电路的几个规定①有关高电平,低电平的规定;在逻辑电路中,电位的高低常用高电平,低电平来描述,单位也用“V”表示。 实际的高电平和低电平都不是一个固...
双向晶闸管的工作原理及符号图介绍双向晶闸管是由N-P-N-P-N五层半导体材料制成的,对外也引出三个电极,其结构如图所示。双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联,但只有一个控制极。双向晶闸管的工作原理双向晶闸管可以等效...
单向晶闸管的工作原理与构成介绍单向晶闸管也叫单向可控硅,它的英文缩写为SCR。由于单向晶闸管具有成本低、效率高、性能可靠等优点,所以被广泛应用在开关控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源等电路中。单向晶闸管的工作原...
共发射极放大电路极性问题介绍三极管接成共发射极电路时,输入信号与输出信号的相位相差180度,所以也称为反相器,也就是倒相。这是因为集电极接一个电阻RC,集电极输出电压VCE与电源电压EC、集电极电阻电压VRC之间有如下关...
共集电极放大电路的负载能力介绍带负载能力指,在外接负载后,输出电压或电流的大小不受影响的能力。例如:功放电路外接一个负载,假设功放此时提供的电压是5v,最大的输出电流是1A,我们测量负载两端的电压,看负载两端的电压是不是...
FET和BJT放大电路的比较介绍FET和BJT重要特性的比较1)FET和BJT都有两个PN结,3个电极。 有如下的对应关系:栅极g-->基极b 源极s-->发射极e 漏极d-->集电极c2)都利用两个电...
晶体管电路低边和高边的工作原理介绍为什么存在这两种方式,它们的工作原理,以及何时使用它们?电路中,晶体管常常被用来当做开关使用。晶体管用作开关时有两种不同的接线方式:高边(high side)和低边(low side)。...
MOS管放大电路的输入阻抗和输出阻抗介绍对于一个MOSFET放大电路,我们非常关心的三个参数是放大倍数,输入阻抗和输出阻抗,放大倍数通过之前的介绍,已经有了基本概念,今天介绍下输入阻抗和输出阻抗。这两个参数同样非常关键,...
MOSFET放大电路类型的区分介绍如何一眼区分MOSFET三种放大电路类型MOSFET有三个极,栅极、源级和漏极,由MOSFET构成的放大电路通常有三种,共源级放大电路,共栅极放大电路和共漏极放大电路。其中,共源级放大电...
MOSFET的夹断效应介绍MOSFET-Lec2,我们重点讲了两件事:1、分析了自由电荷在沟道中的分布和行为,对后面理解其电路行为至关重要。2、根据沟道中电荷的分布特点得出了I_D随V_GS和V_DS的变化的公式,进而得...
场效应管的的尺寸与伏安特性介绍通过MOSFET器件结构的介绍和电学特性的分析,我们知道:① MOSFET器件由导体-绝缘体-半导体三层结构组成。 导体的一端为栅极(G),P型半导体基板上两块重掺杂的N型半导体分别是源级(...
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