232023-05 常见问题解答

MOSFET的EOSS参数解析

MOSFET的EOSS参数解析Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。1、Eoss参数的重要性对于硬开关变换电路来说，MOSFET开通之前，Coss需要释放能量，这部分能量就构成一部分导通损耗。对于软开...

222023-05 常见问题解答

线性稳压器如何进行效率计算

线性稳压器如何进行效率计算线性稳压器的经典模式是基于普通PNP型晶体管的基本结构设计的。该经典模式也称为基本电压稳压器（Basic Voltage Regulator）或三端稳压器（Three-Terminal Regu...

222023-05 常见问题解答

稳压二极管怎么测量

稳压二极管怎么测量稳压二极管的特性稳压二极管反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很...

222023-05 常见问题解答

晶体管怎么实现开关的方法介绍

晶体管怎么实现开关的方法介绍首先晶体管分为npn管和PNp管。无论是N管还是P管，他们都是通过对积极的高低电平的注入，来使得集电极和射极的通断从而实现晶体管的开关功能的。一般来说。如果是N管，只需要通过积极的高电平注入即...

202023-05 常见问题解答

时间可调的给定积分器电路如何设计

时间可调的给定积分器电路如何设计如何设计时间可调的给定积分器电路？这样处理积分电路更灵活。给定积分器的作用：把用户的给定阶跃信号转换为斜坡给定信号，减少给定突变引起的瞬间冲击。1 电路图原理分析：输入信号为用户可调电阻分...

202023-05 常见问题解答

Gate-Source间电压的动作介绍

Gate-Source间电压的动作介绍低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述...

202023-05 常见问题解答

栅极–源极间电压的动作介绍

栅极–源极间电压的动作介绍低边开关关断时的栅极–源极间电压的动作下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号...

192023-05 常见问题解答

无源器件中的电容器详解

无源器件中的电容器详解晶体管和集成电路等有源元件利用来自电源的能量改变信号。相反，电阻器、电容器、电感器和连接器等无源元件不消耗功率——或者这样假设。然而，无源元件实际上可以而且确实以意想不到的方...

192023-05 常见问题解答

负电压浪涌的方法介绍

负电压浪涌的方法介绍负电压浪涌对策下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q...

182023-05 常见问题解答

SiC功率元器件中产生的浪涌怎么应对介绍

SiC功率元器件中产生的浪涌怎么应对介绍浪涌抑制电路SiC功率元器件中栅极-源极电压（VGS）的正浪涌在开关侧和非开关侧均有发生，但是尤其会造成问题的是在LS（低边）导通时的非开关侧（HS：高边）的事件（II）。右侧的波...

182023-05 常见问题解答

栅极-源极电压产生的浪涌介绍

栅极-源极电压产生的浪涌介绍MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已...

182023-05 常见问题解答

单管放大电路的工作原理介绍

单管放大电路的工作原理介绍电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图。单管放大器是一种简单的电子电路，它使用一个单独的放大管...

172023-05 常见问题解答

怎么处理栅极误导通的方法介绍

怎么处理栅极误导通的方法介绍栅极误导通”的抑制方法栅极误导通的对策方法有三种。①是通过将Vgs降至负电压（而非0V），使Vgs即使上升也不会达到阈值的增加余量方法。这种方法需要负的栅极驱动电压，所以栅极驱动器...

172023-05 常见问题解答

MOS管的开关作用介绍

MOS管的开关作用介绍一、开关作用1、如下图所示：当PQ27控制脚G为低电平时，PQ27截止，此时PQ26的控制脚G为高电平，PQ26导通。当PQ27控制脚G为高电平时，PQ27导通，此时PQ26的控制脚G为低电平，PQ...

172023-05 常见问题解答

怎么提高晶体管开关速度的方法

怎么提高晶体管开关速度的方法提高晶体管开关速度的方法可以通过减少晶体管的输入电容来提高晶体管的开关速度，这可以通过减少晶体管的输入电容的大小来实现，从而减少晶体管的输入电容对输入信号的衰减，从而提高晶体管的开关速度。另外...

162023-05 常见问题解答

可控硅怎么控制直流介绍

可控硅怎么控制直流介绍可控硅可以控制直流吗可控硅可以通过改变其内部电路的电阻值来控制直流电流的大小，从而实现对直流电流的控制。可控硅在直流上使用的话，只能当做电子开关，只有接通或闭合状态。只有接通或闭合状态，无法控制电压...

162023-05 常见问题解答

静电感应晶体管原理介绍

静电感应晶体管原理介绍静电感应晶体管（SIT）是什么它是一种多子导电的单极型器件，通过检测外部静电场的变化来控制电路的开关。当外部静电场发生变化时，晶体管内部的电子流会发生变化，从而改变晶体管的电阻值，从而控制电路的开关...

162023-05 常见问题解答

稳压管组成是利用什么特性介绍

稳压管组成是利用什么特性介绍稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合...

152023-05 常见问题解答

怎么触发导通可控硅介绍

怎么触发导通可控硅介绍可控硅可以通过控制电压或电流来触发导通。当电压或电流达到一定的阈值时，可控硅就会导通，从而控制电流的方向和大小。可控硅还可以用来控制电路的功率，从而控制电路的输出功率。此外，可控硅还可以用来控制电路...

152023-05 常见问题解答

NPN型三极管与PNP型三极管开关电路原理分析

NPN型三极管与PNP型三极管开关电路原理分析NPN型三极管开关电路原理分析当S1闭合时，就会约有1mA电流流过be极，此时Vb点电压为0.6V左右，此时三极管会工作在饱和状态，ce极会完全打开，导通。c极的电平会被拉到...