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[技术文章]SI2302 典型应用电路[ 2024-04-22 16:27 ]
SI2302是一种常用的N通道MOSFET，广泛应用于多种电子电路中，例如电源管理、电池充电、DC-DC转换器和负载开关等。它因具备优良的导通和开关性能，以及高效的功率管理能力而受到青睐。SI2302的参数特点主要包括其较低的阈值电压和较高的漏电流容忍度。具体来说，它的阈值电压通常在1.5V到2.5V之间，这使得SI2302能够在较低的门控电压下就能有效开通，非常适合于低电压应用场景。此外，SI2302能够承受的漏电流较高，最大可达4.3A，这一特性使其在处理大电流应用时显示出较强的性能。在应用场景中，SI2302
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[行业资讯]SI2302场效应管参数|SI2302(SOT23)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-19 16:59 ]
SI2302场效应管参数|SI2302(SOT23)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 SI2302 极性 NPN 漏源电压 20V 漏极电流 3.0A 封装 SOT-23
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[行业资讯]si2302,si2302场效应管参数,引脚图,si2302规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 11:56 ]
si2302,si2302场效应管参数,引脚图,si2302规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：si2302描述：MOSFET,N-CH,20V,3A,SOT-23详细描述：表面贴装型,N通道,20V,3A（Ta）1.25W（Ta）,SOT-23制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商：深圳市壹芯微科技有限公司规格书：si2302规格书si2302引脚图si2302电路符号si2302产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商Mi
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[行业资讯]SI2302场效应管参数 SI2302中文资料pdf封装引脚图报价规格书[ 2021-08-23 15:54 ]
型号：SI2302；极性：N沟道；ID/VDSS：2.5A/20V；封装：SOT-23 ，N沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
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[行业资讯]「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:20 ]
「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微产品供应信息型号：SI2300,SI2301,SI2302(场效应MOSFET)品牌：壹芯微|类型：场效应管封装：SOT-23|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询主要参数参数\型号SI2300SI2301SI2302极性NPNID(A)3.8-2.42.5VDSS(V)20-2020RDS(ON):Max(Ω)0.040.10.06RDS(ON):VGS(Ω)4.5-4.54.5VGS(th):(V)0.6~1.5-0.4
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[行业资讯]SI2302 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:02 ]
SI2302 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微N沟道增强型场效应晶体管SI2302数据手册:查看下载品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 质量放心 免费样品 欢迎咨询SI2302场效应管主要参数参数\型号SI2302极性NID(A)2.5VDSS(V)20RDS(ON):Max(Ω)0.06RDS(ON):VGS(Ω)4.5VGS(th):(V)0.65~1.2Gfs(min):(S)8Gfs(min):Vgs(V)5Gfs(min):Io(A)2
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[常见问题解答]SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料[ 2021-06-04 12:02 ]
SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料功率场效应晶体管，3A I(D)，20V，0.072ohm，1 元件，N 沟道，硅，金属氧化物半导体 FET，无铅，塑料封装-3详细参数参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Active针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.32Samacsys DescriptionMOSFET 20V 3ASamacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)Mi
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