搜索资讯

[常见问题解答]高性能MOS管选型指南：如何看懂质量与稳定性参数[ 2025-04-17 10:55 ]

在功率电子设计中，MOSFET（场效应晶体管）以其快速开关速度、低导通电阻以及优异的热稳定性，成为电源管理、电机驱动、逆变器等领域不可或缺的核心元件。然而，面对市面上种类繁多、参数各异的MOS管，工程师在选型时常常遇到困扰。一、导通电阻Rds(on)：影响发热和能耗的关键参数导通电阻是判断MOS管性能的重要指标之一，数值越小，在工作状态下电压降越低，发热量越少。例如，用于高频DC-DC转换器的MOSFET，Rds(on)应控制在几毫欧以下，以确保转换效率最大化。需要注意的是，在选型时应同时参考其在特定漏极电压和栅压

http://www.szyxwkj.com/Article/gxnmosgxxz_1.html

[常见问题解答]影响MOS管损耗的关键参数与优化方法[ 2025-03-18 11:55 ]

MOS管作为电子电路中的重要元件，其损耗直接影响系统的能效与稳定性。损耗的产生涉及多个因素，包括其自身的物理特性、电路设计、工作条件以及外部环境等。理解这些影响因素，并采取相应优化措施，可以有效降低MOS管的损耗，提高整体性能。一、影响MOS管损耗的关键参数1. 导通电阻（RDS(on)）导通电阻RDS(on)是MOS管在开启状态下，源极与漏极之间的电阻值。它直接决定了导通损耗，其计算公式如下：P_conduction = I² × RDS(on)其中，I为漏极电流。导通电阻的大小受工艺、温度

http://www.szyxwkj.com/Article/yxmosgshdg_1.html

[常见问题解答]MOS管发热的主要原因及高效散热方案解析[ 2025-02-26 10:56 ]

MOS管作为电子电路中广泛应用的功率器件，在高频、高功率工作环境下容易出现发热问题。过高的温度不仅影响MOS管的稳定性，还可能降低其使用寿命，甚至导致电路故障。一、MOS管发热的主要原因MOS管在开关电源、驱动电路等应用中，主要工作在开关模式。当MOS管出现异常发热时，通常与以下几个因素有关：1. 导通电阻（Rds(on)) 造成的功耗MOS管在导通状态下，其漏源极之间存在一定的导通电阻Rds(on)，该电阻会导致导通损耗。损耗计算公式如下： P = Rds(on) * Id²其中，Id为流过MOS管的漏

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgfrdzyy_1.html

[常见问题解答]开关电源MOSFET损耗分析与优化选型技巧[ 2025-02-18 12:13 ]

在开关电源设计中，MOSFET作为核心的开关器件，扮演着至关重要的角色。其性能直接决定了电源的效率、热管理以及整体的系统稳定性。尽管MOSFET具有较低的导通电阻和高效的开关特性，但在实际工作中，MOSFET依然会面临多种损耗问题，这些损耗会影响系统的效率，增加热负荷，甚至缩短器件寿命。因此，在开关电源的设计过程中，进行MOSFET损耗分析和优化选型显得尤为重要。一、MOSFET工作损耗的类型MOSFET的工作损耗主要可分为以下几类：1. 导通损耗：发生在MOSFET完全开启时，由漏极电流通过导通电阻RDS(on)

http://www.szyxwkj.com/Article/kgdymosfet_1.html

[常见问题解答]MOS管损坏的几种介绍[ 2022-09-17 16:07 ]

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgshdjzj_1.html

[行业资讯]IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N沟道足参数[ 2021-09-11 11:43 ]

IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N沟道足参数IRLR3110Z(N沟道增强型场效应晶体管)；IRLR3110Z场效应管参数；IRLR3110Z场效应管封装引脚图；IRLR3110Z场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：63A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252 产品概要导通电阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)输入电容Ciss=17000pF(typ)4.5V驱动无卤合规绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说

http://www.szyxwkj.com/Article/irlr3110zt_1.html

[行业资讯]ATP401 贴片TO-252 MOS管60V 100A N沟道足参数[ 2021-09-11 09:37 ]

ATP401 贴片TO-252 MOS管60V 100A N沟道足参数ATP401(P沟道增强型场效应晶体管)；ATP401 场效应管参数；ATP401 场效应管封装引脚图；ATP401 场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：100A，电压(VDSS)：-60V，封装形式：TO252 产品概要导通电阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)输入电容Ciss=17000pF(typ)4.5V驱动无卤合规绝对最大额定参数（TC=25C

http://www.szyxwkj.com/Article/atp401tpto_1.html

[常见问题解答]半桥电路之MOS管关键参数计算知识[ 2020-10-22 16:29 ]

半桥电路之MOS管关键参数计算知识MOS管选型需要满足几个要求：1.足够的漏-源电压 VDS2.足够的漏极电流 ID3.快速开关的能力和开通、关断延时4.低的导通电阻Rds(on)例：如图，假设该电路输出功率为850W，负载8Ω，MOS管如何选型？1.Vds电压是多少？根据P=U*U/R，得出输出的平均电压U=82V，这是平均值，需要转化成峰值电压Uo=√2*U=116V。又因为电源利用率为85%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。2.ID如何计

http://www.szyxwkj.com/Article/bqdlzmosgg_1.html

[常见问题解答]mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础[ 2020-09-09 14:45 ]

mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础MOS管功耗，要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趋势封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电压电流规格或者功率规格的产品，个头小的，功率耗散才能更高，这似乎与我们的生活常识有些相悖，但是事实确实如此。VMOS的通态功耗，业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡，这是不太客观的，由于

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgghmosg_1.html

[常见问题解答]导通电阻Rds(ON)低至0.67欧姆的MOSFE介绍[ 2020-05-23 15:13 ]

导通电阻Rds(ON)低至0.67欧姆的MOSFE介绍导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，是工作时MOSFET漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小，所以实际应用中要求Rds(ON)越小越好。由于能源日趋紧张，越来越多的均需要超低Rds(ON)，例如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等，以便降低I2R损耗并提高效率。然而，具备类似Rds(ON)的一些同类器件，由于在缩小晶圆单元间隔的同时

http://www.szyxwkj.com/Article/dtdzrdsond_1.html

[常见问题解答]MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析[ 2020-04-07 15:30 ]

MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通电阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。mos管工作电路对于一般晶体管，消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以

http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetdtdz_1.html

[常见问题解答]功率MOS管的5种损坏案例详解[ 2019-12-07 12:28 ]

功率MOS管的5种损坏案例详解[第一种]雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：[第二种]器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热。导通电阻RDS(on)

http://www.szyxwkj.com/Article/glmosgd5zs_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address